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國立臺北科技大學 材料科學與工程研究所 陳貞光所指導 廖桓雍的 6005鋁合金之T6熱處理優化 （2021），提出2017 T6關鍵因素是什麼，來自於6005鋁合金、熱力學模擬、T6熱處理、固溶處理、人工時效。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電機資訊國際學程 林鴻志所指導 甯威克的 應用於閘極驅動電路之 120V-600V HVIC 設計與最佳化 （2021），提出因為有 高壓集成電路、N 型電平轉換器、P 型電平轉換器、n 型橫向擴散金屬氧化物 半導體、p 型橫向擴散金屬氧化物 半導體、全積體化嵌入式自舉二極體的重點而找出了 2017 T6的解答。
2017 T6進入發燒排行的影片
Volkswagen Nutzfahrzeuge (台灣福斯商旅) 今天 (3/28) 中午選在新板希爾頓酒店舉行 2019 媒體餐敘，席間宣布旗下皮卡 Amarok 推出動力升級的 2019 年式車型，以及 2017 年曾短暫引進過的 T6 Freestyle 露營車再度以 2019 年式的姿態重返國內露營車市場。
延伸閱讀:https://www.7car.tw/articles/read/56939
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6005鋁合金之T6熱處理優化
為了解決2017 T6 的問題，作者廖桓雍 這樣論述：
6005鋁合金為Al-Mg-Si系列之熱處理鋁合金，可透過均質化處理 (Homogenization)、固溶處理 (Solid solution treatment, S.T.) 與人工時效 (Artificial aging, A.A.) 提升材料機械性質。本研究針對已均質化6005鋁合金，透過熱力學模擬軟體計算材料平衡相之比例變化作為熱處理參數參考，擬定固溶處理與人工時效之溫度、時間，經由時效硬化熱處理尋找最佳T6熱處理參數，使Mg-Si析出物達到β”狀態，最大化增加6005鋁合金之機械性質。6005鋁合金在525°C、550°C、575°C以同一溫度進行固溶處理，隨固溶時間的增加，硬度
皆有逐漸下降趨勢，顯示粗大Mg-Si析出物經固溶處理皆有效消除，Mg、Si原子均勻固溶擴散至Al基底內。在人工時效方面，以155°C進行人工時效約在32小時達時效硬化峰值(Peak-aged)約123 Hv，其極限抗拉強度為339.7 MPa，伸長率為15.6%。於175°C約在8小時達硬化峰值約118 Hv，其極限抗拉強度為334.6 MPa，伸長率為13.8%。低溫下人工時效Mg-Si化合物需更長時間才會成長為β”，但較為容易有效控制Mg-Si析出物之生長與相變化，故155°C最大硬度峰值略高於175°C最大硬度峰值。考量未來業界應用之6005鋁合金工件尺寸較大與時間成本考量，以550°C
固溶處理4小時，並在175°C人工時效8小時，為本研究建議之最佳T6熱處理參數。
應用於閘極驅動電路之 120V-600V HVIC 設計與最佳化
為了解決2017 T6 的問題，作者甯威克 這樣論述：
摘要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iAbstract . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iiiContents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . viList of Tabl
es . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . viiiList of Figures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ixChapter 1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11.1 Overview of HVIC . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11.1.1 High Voltage Isolation Technique and Level-up Shifter using n-ChannelMOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21.1.2 Level-down Shifter using p-Channel MOSFET . . . . . . . . . . . . . 31.1.3 Fully Isola
ted n-Channel LDMOS for High-Side Driver Circuit . . . . 41.1.4 On-chip Cascoded Bootstrap Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51.2 Motivation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61.3 Organization of the Dissertation . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 8Chapter 2 N-Channel LDMOS with Robust Isolation Design for Level-up Shifter . 102.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102.2 N-level Shifter with Micro N-well Isolation Structure . . . . . . . . . . . . . . 122.3 VADL and LADL Isolation
Structure and Mechanisms . . . . . . . . . . . . . 172.3.1 Device Structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172.3.2 Breakdown Mechanism for Conventional and Proposed Structure . . . 202.4 Results and Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Chapter 3 P-Channel LDMOS with Multiple Buried N-type Layer Islands for HVICs 343.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 343.2 Design and Experiments . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34Chapter 4 Design and Optimization of Fully
Isolated nLDMOS with Low SpecificOn-resistance for HVIC Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414.2 Device Structure and Mechanism . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 424.
3 Experimental Results and Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 474.3.1 Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 474.3.2 Isolation Efficiency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 494.3.3 Reliability . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52Chapter 5 Monolithically Integrated Bootstrap Diode with Ultra-Low SubstrateLeakage Current for Gate Driver IC’s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 595.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 595.2 De
vice Structure and Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 635.3 Design and Experimental Results . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 665.3.1 Design and Characteristics of the ISO-Diode . . . . . . . . . . . . . . 665.3.2 Characteristics of the MV n-MOS. . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . 685.3.3 Design and Characteristics of the n-JFET . . . . . . . . . . . . . . . . 695.3.4 Characteristics of the Cascoded Bootstrap Diode . . . . . . . . . . . . 735.4 Reliability . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76Chapter 6 Concl
usion and Future Work . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 836.1 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 836.2 Future Work . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84References . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86Autobiography . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95