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八字電感多相位壓控震盪器與頻率倍頻器設計

為了解決2005 Focus 1.8 4D的問題，作者陳世軒 這樣論述：

隨著科技的進步，3C產品的開發及推廣，已經成為生活必需品了。而射頻積體電路(RFIC)就是這些產品必須用到的技術，例如家電的各式遙控器、電腦手機平板等電子產品，都會使用到。射頻積體電路(RFIC)由功率放大器(Power amplifier)、收發器(Transceiver)以及鎖相迴路(Phase lock loop)所組成。而本篇論文所探討的重點為鎖相迴路(Phase lock loop)中會使用到的壓控震盪器(VCO)、除頻器(FD)以及倍頻器(FM)的部分。第一部分介紹了採用 tsmc 0.18 μm CMOS 技術的 3.4 GHz 振盪器的設計和測量。 全集成芯片採用閉環雙絞變壓

器耦合傳輸線，佔地面積小，僅為1.2×1.2 mm2。 正交特性是通過傳輸線上的行波形成駐波來確保的。 由於使用了雙絞電感無源器件，QVCO 對附近電路產生的遠場干擾更少，耦合效應也更小。 電源電壓為 1.7 V 時，電流消耗為 11.32 mA。 QVCO 的自由運行頻率是可調的。 在 1MHz 頻率偏移處測得的相位噪聲在 3.4 GHz 振盪頻率下為 -125.73 dBc/Hz，所提議 QVCO 的品質因數 (FOM) 為 -185.38 dBc/Hz。第二部分介紹了一個電流復用倍頻器 (×2 FD)，它形成了一個帶有壓控 VCO 的發送器。 可調諧 21GHz 發射器採用 180 nm

BiCMOS 工藝，全晶片佔用面積 0.84×1.163 mm2。 (×2 FD) 使用堆疊在緩衝器上的倍頻器，SiGe HBT 緩衝器提取倍頻器輸出信號。延伸倍頻器的應用設計出使用 0.18 μm CMOS 工藝的 3.7 GHz 有源倍頻器的設計和測量。全集成倍頻芯片佔地1.129×1.1 mm2，包含兩路電路，一路採用雙絞變壓器，節省芯片面積，另一路採用兩個電感。倍頻器使用兩個電流復用倍頻器來增加轉換增益。最後一部分通過模擬電流重用 CMOS 24 分頻注入鎖定分頻器 (ILFD) 和基於 4 分頻環形振盪器的 ILFD 在電容交叉耦合 LC 6 分頻 ILFD 上進行研究。 台積電

0.18 μm 1P6M CMOS 工藝中的第一個 24 分頻 ILFD 佔據了 1.2×1.198 mm2 的小面積。 仿真顯示環形振盪器 ILFD 具有寬鎖定以跟踪 LC-sub ILFD 的輸出頻率信號。

新興光電技術的剖析與智權佈局：聚焦在電子束蒸鍍製作異質接面結構太陽能電池技術、紅外線感測技術

為了解決2005 Focus 1.8 4D的問題，作者劉箐茹 這樣論述：

本論文主要是在研究新興光電技術應用中二種關鍵光電元件及其相關專利之智權分布概況。這兩種光電元件，一為太陽能電池，另一為紅外線光感測器。首先，我們所研究的太陽能電池是以具本質薄膜層之異質接面太陽電池(Heterojunction with Intrinsic Thin layer，簡稱HIT)為主題，我們採用電子束蒸鍍機製作新型之異質接面矽基太陽能電池。研究結果發現在切割損傷去除蝕刻流程和450°C形成氣體退火之製程後，可有效的改善短路電流及開路電壓。相較於傳統的PECVD設備，可降低製程設備成本。基於上述之優點，將該製程技術進一步來申請專利，並透過專利申請之實務過程中了解該製程技術的可專利性

。目前已取得相關專利包含中華民國新型專利、中華民國發明專利及日本發明專利共三篇。再來，我們針對紅外線光感測器之應用來做介紹，分別以三維光達（3D LiDAR）及大氣遙測光達(Gas mapping LiDAR）來進行說明。最後，我們以類似專利佈局的觀點來研究此兩種光電元件的全球專利申請狀況。從全球專利檢索發現，HIT太陽電池的專利申請以發明專利為最主要申請類型，佔全球申請量之89%，申請國家以中國大陸為主要。IPC技術分類可以發現，技術顯著集中在H01L類上，大部分的技術歸屬在H01L31/00上。關於三維光達(3D LiDAR)技術方面，有相當大的比重是通過發明專利進行保護，全球統計發明專利

佔所有專利比重的95.8%。中國大陸是最主要的申請國。大氣遙測光達(Gas mapping LiDAR）方面，發明專利佔所有專利比重的83%，全球大氣遙測光達專利以申請人排名來看，在排名前十五的專利申請人中有，6個來自中國大陸、5個來自美國，2個來自德國，韓國和沙烏地阿拉伯各1。台灣有合作參與共計有2件，均歸屬於來自美國的專利。依據2020年版的IPC專利分類，與大氣遙測光達(Gas mapping LiDAR）最相關的技術前十位中有7項專利歸類在G類，並以G01、G05與G06等類別的專利數量為最多。