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球閥之金屬球墊設計與量測

為了解決17吋 鋁 圈 優點的問題，作者莊文嘉 這樣論述：

本研究設計製作二吋金屬球墊球閥，並建置配合球閥管路之洩漏測試設備，提供最高溫度至450 ℃及最大壓力至720 psig之測試環境。金屬球墊球閥之設計係以合作企業目前生產之鐵氟龍球墊球閥構造及尺寸為基礎，同時參考其他廠牌之金屬球墊設計，配置波型彈簧及石墨墊圈，用以加強上下游金屬球墊與鋼球之緊密配合。本研究研發之二吋金屬球墊球閥經洩漏實驗重複測試顯示，於常溫至450 ℃條件下能夠成受最高的氣體壓力為400 psig。測試實驗亦顯示，在這高溫與高壓範圍，開啟與關閉球閥的扭力矩仍保持在30 kgf-cm內。本研究同時建置偵測球墊、鋼球及側蓋接觸間隙之洩漏的位置的設備，並發現在300 psig 及

常溫下，氣體僅由鋼球與球墊之密合處洩漏，而洩漏的原因仍需進一步探討。有關金屬球墊熱應變之分析與實驗，一致說明熱膨脹之等向性，並建議球墊與側蓋間的裕度為0.25 mm，以適應加熱至450 ℃時之操作環境。本研發成果將有助於進一步設計不同尺寸之金屬球墊球閥及執行相關的洩漏與其他性能測試實驗。

鎂鐵雙摻近等化學計量比鉭酸鋰晶體生長及其特性之研究

為了解決17吋 鋁 圈 優點的問題，作者徐為哲 這樣論述：

近年來由於光電產業的蓬勃發展，許多新穎的材料都被陸續開發，其中因為鉭酸鋰晶體具備有數種優秀的性質，如高抗光損傷閥值、高非線性光學係數、高焦電係數、高電光係數以及容易生長等優點，成為最近熱門的研究話題，隨著光電技術迅速發展，超大容量的儲存技術將成為為電子技術後之新興產業，資料儲存的高密度化和資料傳輸的高速化將是今後科技發展的重點，而利用鉭酸鋰晶體做為媒介進行體積全像儲存已被實現，其理論儲存密度可達Tb/cm3等級，而傳輸速度也可達Gb/s。此外鉭酸鋰晶體的另外一種應用為變頻(倍頻、混頻和差頻)雷射，隨著準相位匹配技術的發展，PPLT可望取代GaN而主導下一代的藍綠光市場，有鑑於此近年來有許多廠

商積極投入這塊市場。 市場上所販售的鉭酸鋰晶片，應多以共熔組成為主，然而共融組成的鉭酸鋰(CLT)晶體中通常有相當多的本質缺陷，此缺陷將導致晶體的品質下降而影響晶體的性質，如光學吸收係數增加、雙折效應減少、居禮溫度下降、矯頑電場增加、抗光折變能力下降等，大幅降低晶體的應用價值。而等化學計量比組成之鉭酸鋰(SLT)晶體在熱力學上較CLT晶體穩定且晶體中的本質缺陷少，因此SLT晶體的性質較CLT晶體優越，是一種相當值得投資及研究的光學材料。然而生長SLT晶體有其難度，因為生長時會因偏析而導致晶體組成偏移，無法使用使用傳統的柴式提拉法生長SLT單晶，因此於本論文中將嘗試使用我們實驗室自行開發的

區熔提拉法進行SLT晶體生長，此外使用區熔提發法所生長之晶體，則藉由光學、物理或是化學分析方法來評價晶體之軸向、徑向組成及均勻性，此外我們也針對鉭酸鋰晶體做摻雜處理，以探討晶體摻雜後的特性。 藉著使用鋰過量之原料做為熔區，且調配適當濃度比例的鉭酸鋰做為底部進料，配合精密的熱場設計下，我們成功使用區熔提拉法生長無摻雜的近等化學計量比鉭酸鋰晶體，透過數種濃度分析技術，皆顯示晶體軸向濃度梯度僅為1.1×10-2 %/mm，而晶體的光學和物理性質在和文獻值比較後，顯示晶體品質以達到商品化的水準，因此我們可得知區熔提拉法是一個相當傑出的連續進料製程。 一般而言，鉭酸鋰晶體的居禮溫度低於熔點溫

度，在長晶過程後，通常需要對鉭酸鋰晶體施以一外加電壓，以得到單鐵電域的鉭酸鋰晶體，於本論文中也討論高品質的單鐵電域晶體之製備方式，我們透過使用緩衝層來避免雜質擴散進入晶體後而導致晶體劈裂，極化過程中須施加適當的電流密度於晶體上，過強的電流密度將導致晶體碎裂，而過小的電流密度導致極化不完全。我們也生長鎂鐵雙摻的SLT晶體，其中摻鐵的目的是能增加晶體的繞射效率以及提供大的動態範圍，而摻鎂則是增加晶體的光導電度而縮短反應時間，控制化學計量比目的則是提高敏感度。透過ZLCz法我們也成功生長不同濃度的鎂鐵雙摻SLT晶體，其晶體外觀則隨著鐵摻濃度的增加而加深，此外晶體的氧化還原狀態於穿透吸收光譜上的變化也

被探討，靠著適當的鐵摻雜量以及氧化程度，Fe2+ 所引起的inter-valence transfer吸收峰被觀察在位於425nm處。高鐵摻的雙摻晶體則於OH-吸收光譜上，觀察到特殊吸收峰值(3504 cm2)，此吸收峰值被歸MgLi+-OH--FeTa3-模式所產生的吸收。最後晶體的全像儲存性質也被討論，在特定的摻雜濃度和光強下，鎂鐵雙摻晶體可提供繞射效率為83.96%，寫入時間為93.75 s，抹除時間為452 s，動態範圍為4.3，敏感度為4.07×10-2 cm/J，和其摻雜之鉭酸鋰或鈮酸鋰晶體比較下，鎂鐵雙摻鉭酸鋰晶體提供不錯的全像儲存特性。