高頻高速銅箔的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

國立屏東科技大學 材料工程研究所 楊茹媛所指導 蔡晉義的 基板整合波導濾波器結構之研製 (2019),提出高頻高速銅箔關鍵因素是什麼,來自於SIW、5G 通訊、PCB 電路雕刻機、導電銀膠。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了高頻高速銅箔,大家也想知道這些:

高頻高速銅箔進入發燒排行的影片

銅箔基板材料近幾年因為全球各地5G基地台的建設逐漸開展,對於上游高頻高速材料的需求放大,業者也啟動新一輪對高階產品的擴產計劃,以國內三大銅箔基板業者來說,這兩年也加快在兩岸的擴產以及建新廠的腳步,亞泰金屬即是銅箔基板廠的設備製造業者,公司未來也將持續擴大營業規模,目標走向全球化的市場。

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基板整合波導濾波器結構之研製

為了解決高頻高速銅箔的問題,作者蔡晉義 這樣論述:

本研究是設計基板整合波導(Substrate Integrated Waveguide,SIW)結構之濾波器,並將中心頻率設計在5G 的頻帶上,使該濾波器符合5G 通訊系統之規範。使用電磁模擬軟體HFSS 模擬SIW 結構,並從中了解尺寸變化對模擬特性的影響,以找出較佳之濾波器特性設計。再使用印刷電路板(PCB)電路雕刻機將設計之濾波器試片製作出來,最後對其試片進行傳輸特性的檢測。在本研究中,共提出三種濾波器設計。設計一:具有開口共振環(Complementary Split Ring Resonator,CSRR)結構的SIW 濾波器,量測特性:中心頻率3.55 GHz 時有270 MHz

帶寬,反射損耗為17.67 dB,插入損耗為2.1 dB。設計二:半模步階阻抗SIW 濾波器,量測特性:中心頻率3.51 GHz 時有250 MHz 帶寬,反射損耗為10.73 dB,插入損耗為2.42dB。設計三:微小型嵌入式微帶共振(Compact Embedded MicrostripResonators,CEMR)結構的SIW 濾波器,量測特性:中心頻率4.85 GHz時有2.12 GHz 帶寬,反射損耗為17.44 dB,插入損耗為0.69 dB。研究結果顯示:在本次的研究中SIW 濾波器模擬特性優於實測之傳輸特性,產生其原因可能來自於實作試片時導電銀膠塗佈不均,或匯入(PCB)電

路雕刻機時圖檔尺寸有所變化影響濾波器的特性。在往後研究的目標是要降低SIW 濾波器製作時產生損耗之因素,讓實測數據較符合模擬數值。