鉛 酸 電池 短路的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

鉛 酸 電池 短路的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦王學屯寫的 全面圖解電動自行車和三輪車維修 和賈忠中的 SMT工藝不良與組裝可靠性都 可以從中找到所需的評價。

這兩本書分別來自電子工業出版社 和電子工業所出版 。

明志科技大學 機械工程系機械與機電工程碩士班 陳炳宜、杜繼舜所指導 張少宇的 ZnO為電子傳輸層強化(Bi0.93Gd0.07)FeO3 複鐵陶瓷光伏效應與光偵測之研究 (2020),提出鉛 酸 電池 短路關鍵因素是什麼,來自於鐵酸鉍、鈣鈦礦結構、光伏效應、電子傳輸層、電場極化、光感測器。

而第二篇論文國立清華大學 化學工程學系 衛子健所指導 陳鈺穎的 三步驟法製備CsPbI2Br無機鈣鈦礦太陽能電池之研究 (2020),提出因為有 無機鈣鈦礦、甲胺蒸氣處理、多步驟、水性硝酸鉛的重點而找出了 鉛 酸 電池 短路的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了鉛 酸 電池 短路,大家也想知道這些:

全面圖解電動自行車和三輪車維修

為了解決鉛 酸 電池 短路的問題,作者王學屯 這樣論述:

本書為「傑出電工系列叢書」之一,全書共分10章,主要內容包括電動自行車基礎知識,維修工具及使用,檢修電動自行車的基本方法,元器件的識別與檢測,蓄電池,控制器電路及故障維修,充電器的原理、維修及代換,整機電路分析及維修,電動機的工作原理及故障維修,機械類故障維修。 全書敘述詳細、插圖精美、資料珍貴、通俗實用。本書適合農村電工、相關技能培訓或維修人員學習使用,也可作為職業院校或相關技能培訓機構的培訓教材。

ZnO為電子傳輸層強化(Bi0.93Gd0.07)FeO3 複鐵陶瓷光伏效應與光偵測之研究

為了解決鉛 酸 電池 短路的問題,作者張少宇 這樣論述:

本研究使用固態反應法合成複鐵性(Bi0.93Gd0.07)FeO3 (簡稱B7GFO)陶瓷,ZnO鍍膜於ITO薄膜與B7GFO陶瓷試片之間作為電子傳輸層(electron transport layer, abbreviated as ETL),ITO透明導電thin-film作為上電極,Au thin-film作為下電極,施加2kV/cm的電場極化B7GFO陶瓷,以波長405nm與360nm的UV雷射光照射樣品,測量其開路電壓、短路電流密度、反應時間,計算出光電流增益(photocurrent gain,G)、光響應度、光偵測度等,探討該材料對於光伏效應的變化,及其應用於光感測器之評估。本

實驗比較ITO/B7GFO/Au heterostructure樣品之光伏效應,增加選用ZnO thin-film 作為電子傳輸層(ETL)後,因為ZnO鍍膜於B7GFO陶瓷擁有良好的載子濃度與n-type semiconductor特徵,組成ITO/ZnO/B7GFO/Au heterostructure,當在增加ZnO thin-film做為電子傳輸層後,短路電流密度(Jsc)有顯著提升,濺鍍ZnO電子傳輸層之樣品極化前光電流增益為1.79%,電場極化後提升到3.24%,在光偵測部分極化前光響應度為5.84μA/mW,光偵測度為1.15×1011 Jones,極化後光響應度提升至7.31μ

A/mW,光偵測度提升至1.44×1011 Jones,由此可見濺鍍ZnO電子傳輸層之樣品並施加電場極化使光電流增益、光偵測度,光響應度皆有明顯提升。X光繞射分析(XRD)、掃描式電子顯微鏡(SEM)證實樣品為鈣鈦礦結構及晶粒成長緻密,穿透度實驗證明了鍍上ZnO後在405nm wavelength光源之光穿透性仍然維持高穿透度達到~75%,最後藉由光學能隙(bandgap) 與功函數(work function)的量測成功建構ITO/ZnO/ B7GFO ceramic/ Au之heterostructure與Schottky barrier的能帶(energy band)圖。

SMT工藝不良與組裝可靠性

為了解決鉛 酸 電池 短路的問題,作者賈忠中 這樣論述:

本書是寫給那些在生產一線忙碌的工程師的。全書以工程應用為目標,聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及應用問題,以圖文並茂的形式,介紹了焊接的基礎原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現象,以及組裝工藝帶來的可靠性問題。 本書適合於從事電子產品製造的工藝與品質工程師學習與參考。 賈忠中,高級工程師,先後供職於中國電子集團工藝研究所、中興通訊股份有限公司,從事電子製造工藝研究與管理工作近30年。在中興通訊股份有限公司工作也超過20年,見證並參與了中興工藝的發展歷程,歷任工藝研究部部長、副總工藝師、總工藝師、首席工藝專家。擔任廣東電子學會SMT專委會副主任委員

、中國電子學會委員。對SMT、可製造性設計、失效分析、焊接可靠性有深入、系統的研究,擅長組裝不良分析、焊點失效分析。出版了《SMT工藝品質控制》《SMT核心工藝解析與案例分析》《SMT可製造性設計》等專著。 第一部分  工藝基礎 1 第1章  概述 3 1.1  電子組裝技術的發展 3 1.2  表面組裝技術 4 1.2.1  元器件封裝形式的發展 4 1.2.2  印製電路板技術的發展 5 1.2.3  表面組裝技術的發展 6 1.3  表面組裝基本工藝流程 7 1.3.1  再流焊接工藝流程 7 1.3.2  波峰焊接工藝流程 7 1.4  表面組裝方式與工藝路徑 8

1.5  表面組裝技術的核心與關鍵點 9 1.6  表面組裝元器件的焊接 10 案例1 QFN的橋連 11 案例2 BGA的球窩與開焊 11 1.7  表面組裝技術知識體系 12 第2章  焊接基礎 14 2.1  軟釺焊工藝 14 2.2  焊點與焊錫材料 14 2.3  焊點形成過程及影響因素 15 2.4  潤濕 16 2.4.1  焊料的表面張力 17 2.4.2  焊接溫度 18 2.4.3  焊料合金元素與添加量 18 2.4.4  金屬在熔融Sn合金中的溶解率 19 2.4.5  金屬間化合物 20 2.5  相點陣圖和焊接 23 2.6  表面張力 24 2.6.1  表面張力

概述 24 2.6.2  表面張力起因 26 2.6.3  表面張力對液態焊料表面外形的影響 26 2.6.4  表面張力對焊點形成過程的影響 26 案例3  片式元件再流焊接時焊點的形成過程 26 案例4  BGA再流焊接時焊點的形成過程 27 2.7  助焊劑在焊接過程中的作用行為 28 2.7.1  再流焊接工藝中助焊劑的作用行為 28 2.7.2  波峰焊接工藝中助焊劑的作用行為 29 案例5  OSP板採用水基助焊劑波峰焊時漏焊 29 2.8  可焊性 30 2.8.1  可焊性概述 30 2.8.2  影響可焊性的因素 30 2.8.3  可焊性測試方法 32 2.8.4  潤濕稱

量法 33 2.8.5  浸漬法 35 2.8.6  鋪展法 35 2.8.7  老化 36 第3章  焊料合金、微觀組織與性能 37 3.1  常用焊料合金 37 3.1.1  Sn-Ag合金 37 3.1.2  Sn-Cu合金 38 3.1.3  Sn-Bi合金 39 3.1.4  Sn-Sb合金 39 3.1.5  提高焊點可靠性的途徑 40 3.1.6  無鉛合金中常用添加合金元素的作用 40 3.2  焊點的微觀結構與影響因素 42 3.2.1  組成元素 42 3.2.2  工藝條件 44 3.3  焊點的微觀結構與機械性能 44 3.3.1  焊點(焊料合金)的金相組織 45 3

.3.2  焊接介面金屬間化合物 46 3.3.3  不良的微觀組織 50 3.4  無鉛焊料合金的表面形貌 61 第二部分  工藝原理與不良 63 第4章  助焊劑 65 4.1  助焊劑的發展歷程 65 4.2  液態助焊劑的分類標準與代碼 66 4.3  液態助焊劑的組成、功能與常用類別 68 4.3.1  組成 68 4.3.2  功能 69 4.3.3  常用類別 70 4.4  液態助焊劑的技術指標與檢測 71 4.5  助焊劑的選型評估 75 4.5.1  橋連缺陷率 75 4.5.2  通孔透錫率 76 4.5.3  焊盤上錫飽滿度 76 4.5.4  焊後PCB表面潔淨度 

77 4.5.5  ICT測試直通率 78 4.5.6  助焊劑的多元化 78 4.6  白色殘留物 79 4.6.1  焊劑中的松香 80 4.6.2  松香變形物 81 4.6.3  有機金屬鹽 81 4.6.4  無機金屬鹽 81 第5章  焊膏 83 5.1  焊膏及組成 83 5.2  助焊劑的組成與功能 84 5.2.1  樹脂 84 5.2.2  活化劑 85 5.2.3  溶劑 87 5.2.4  流變添加劑 88 5.2.5  焊膏配方設計的工藝性考慮 89 5.3  焊粉 89 5.4  助焊反應 90 5.4.1  酸基反應 90 5.4.2  氧化-還原反應 91 5.

5  焊膏流變性要求 91 5.5.1  黏度及測量 91 5.5.2  流體的流變特性 92 5.5.3  影響焊膏流變性的因素 94 5.6  焊膏的性能評估與選型 96 5.7  焊膏的儲存與應用 100 5.7.1  儲存、解凍與攪拌 100 5.7.2  使用時間與再使用注意事項 101 5.7.3  常見不良 101 第6章 PCB表面鍍層及工藝特性 106 6.1  ENIG鍍層 106 6.1.1 工藝特性 106 6.1.2 應用問題 107 6.2  Im-Sn鍍層 108 6.2.1 工藝特性 109 6.2.2 應用問題 109 案例6 鍍Sn層薄導致虛焊 109 6.

3  Im-Ag鍍層 112 6.3.1 工藝特性 112 6.3.2  應用問題 113 6.4 OSP膜 114 6.4.1 OSP膜及其發展歷程 114 6.4.2 OSP工藝 115 6.4.3 銅面氧化來源與影響 115 6.4.4 氧化層的形成程度與通孔爬錫能力 117 6.4.5 OSP膜的優勢與劣勢 119 6.4.6 應用問題 119 6.5 無鉛噴錫 119 6.5.1 工藝特性 120 6.5.2 應用問題 122 6.6 無鉛表面耐焊接性對比 122 第7章 元器件引腳/焊端鍍層及工藝性 124 7.1 表面組裝元器件封裝類別 124 7.2 電極鍍層結構 125 7.

3 Chip類封裝 126 7.4 SOP/QFP類封裝 127 7.5 BGA類封裝 127 7.6 QFN類封裝 127 7.7 外掛程式類封裝 128 第8章  焊膏印刷與常見不良 129 8.1  焊膏印刷 129 8.2  印刷原理 129 8.3  影響焊膏印刷的因素 130 8.3.1  焊膏性能 130 8.3.2  範本因素 133 8.3.3  印刷參數 134 8.3.4  擦網/底部擦洗 137 8.3.5  PCB支撐 140 8.3.6  實際生產中影響焊膏填充與轉移的其他因素 141 8.4  常見印刷不良現象及原因 143 8.4.1  印刷不良現象 143 8

.4.2  印刷厚度不良 143 8.4.3  汙斑/邊緣擠出 145 8.4.4  少錫與漏印 146 8.4.5  拉尖/狗耳朵 148 8.4.6  塌陷 148 8.5  SPI應用探討 151 8.5.1  焊膏印刷不良對焊接品質的影響 151 8.5.2  焊膏印刷圖形可接受條件 152 8.5.3  0.4mm間距CSP 153 8.5.4  0.4mm間距QFP 154 8.5.5  0.4~0.5mm間距QFN 155 8.5.6  0201 155 第9章  鋼網設計與常見不良 157 9.1  鋼網 157 9.2  鋼網製造要求 160 9.3  範本開口設計基本要求 

161 9.3.1  面積比 161 9.3.2  階梯範本 162 9.4  範本開口設計 163 9.4.1  通用原則 163 9.4.2  片式元件 165 9.4.3  QFP 165 9.4.4  BGA 166 9.4.5  QFN 166 9.5  常見的不良開口設計 168 9.5.1  範本設計的主要問題 168 案例7  範本避孔距離不夠導致散熱焊盤少錫 169 案例8  焊盤寬、引腳窄導致SIM卡移位 170 案例9  熔融焊錫漂浮導致變壓器移位 170 案例10  防錫珠開孔導致圓柱形二極體爐後飛料問題 171 9.5.2  範本開窗在改善焊接良率方面的應用 171

案例11  兼顧開焊與橋連的葫蘆形開窗設計 171 案例12  電解電容底座鼓包導致移位 173 案例13  BGA變形導致橋連與球窩 174 第10章  再流焊接與常見不良 175 10.1  再流焊接 175 10.2  再流焊接工藝的發展歷程 175 10.3  熱風再流焊接技術 176 10.4  熱風再流焊接加熱特性 177 10.5  溫度曲線 178 10.5.1  溫度曲線的形狀 179 10.5.2  溫度曲線主要參數與設置要求 180 10.5.3  爐溫設置與溫度曲線測試 186 10.5.4  再流焊接曲線優化 189 10.6  低溫焊料焊接SAC錫球的BGA混裝再流

焊接工藝 191 10.6.1  有鉛焊料焊接無鉛BGA的混裝工藝 192 10.6.2  低溫焊料焊接SAC錫球的混裝再流焊接工藝 196 10.7  常見焊接不良 197 10.7.1  冷焊 197 10.7.2  不潤濕 199 案例14  連接器引腳潤濕不良現象 200 案例15  沉錫板焊盤不上錫現象 201 10.7.3  半潤濕 202 10.7.4  滲析 203 10.7.5  立碑 204 10.7.6  偏移 207 案例16  限位導致手機電池連接器偏移 207 案例17  元器件安裝底部噴出的熱氣流導致元器件偏移 208 案例18  元器件焊盤比引腳寬導致元器件偏移

 208 案例19  片式元件底部有半塞導通孔導致偏移 209 案例20  不對稱焊端容易導致偏移 209 10.7.7  芯吸 210 10.7.8  橋連 212 案例21  0.4mm QFP橋連 212 案例22  0.4mm間距CSP(也稱?BGA)橋連 213 案例23  鉚接錫塊表貼連接器橋連 214 10.7.9  空洞 216 案例24  BGA焊球表面氧化等導致空洞形成 218 案例25  焊盤上的樹脂填孔吸潮導致空洞形成 219 案例26  HDI微盲孔導致BGA焊點空洞形成 219 案例27  焊膏不足導致空洞產生 220 案例28  排氣通道不暢導致空洞產生 220

案例29  噴印焊膏導致空洞產生 221 案例30  QFP引腳表面污染導致空洞產生 221 10.7.10  開路 222 10.7.11  錫球 223 10.7.12  錫珠 226 10.7.13  飛濺物 229 10.8  不同工藝條件下用63Sn/37Pb焊接SAC305 BGA的切片圖 230 第11章  特定封裝的焊接與常見不良 232 11.1  封裝焊接 232 11.2  SOP/QFP 232 11.2.1  橋連 232 案例31  某板上一個0.4mm間距QFP橋連率達到75% 234 案例32  QFP焊盤加工尺寸偏窄導致橋連率增加 235 11.2.2  虛焊

 235 11.3  QFN 236 11.3.1  QFN封裝與工藝特點 236 11.3.2  虛焊 238 11.3.3  橋連 240 11.3.4  空洞 241 11.4  BGA 244 11.4.1  BGA封裝類別與工藝特點 244 11.4.2  無潤濕開焊 245 11.4.3  球窩焊點 246 11.4.4  縮錫斷裂 248 11.4.5  二次焊開裂 249 11.4.6  應力斷裂 250 11.4.7  坑裂 251 11.4.8  塊狀IMC斷裂 252 11.4.9  熱迴圈疲勞斷裂 253 第12章 波峰焊接與常見不良 256 12.1 波峰焊接 256

12.2 波峰焊接設備的組成及功能 256 12.3 波峰焊接設備的選擇 257 12.4 波峰焊接工藝參數設置與溫度曲線的測量 257 12.4.1 工藝參數 258 12.4.2 工藝參數設置要求 258 12.4.3 波峰焊接溫度曲線測量 258 12.5 助焊劑在波峰焊接工藝過程中的行為 259 12.6 波峰焊接焊點的要求 260 12.7 波峰焊接常見不良 262 12.7.1 橋連 262 12.7.2 透錫不足 265 12.7.3 錫珠 266 12.7.4 漏焊 268 12.7.5 尖狀物 269 12.7.6 氣孔—吹氣孔/ 269 12.7.7  孔填充不良 270

12.7.8 板面髒 271 12.7.9 元器件浮起 271 案例33 連接器浮起 272 12.7.10 焊點剝離 272 12.7.11 焊盤剝離 273 12.7.12 凝固開裂 274 12.7.13 引線潤濕不良 275 12.7.14 焊盤潤濕不良 275 第13章 返工與手工焊接常見不良 276 13.1 返工工藝目標 276 13.2 返工程式 276 13.2.1  元器件拆除 276 13.2.2 焊盤整理 277 13.2.3 元器件安裝 277 13.2.4 工藝的選擇 277 13.3 常用返工設備/工具與工藝特點 278 13.3.1 烙鐵 278 13.3.2

 熱風返修工作站 279 13.3.3 吸錫器 281 13.4 常見返修失效案例 282 案例34 採用加焊劑方式對虛焊的QFN進行重焊導致返工失敗 282 案例35 採用加焊劑方式對虛焊的BGA進行重焊導致BGA中心焊點斷裂 282 案例36 風槍返修導致周邊鄰近帶散熱器的BGA焊點開裂 283 案例37 返修時加熱速率太大導致BGA角部焊點橋連 284 案例38 手工焊接大尺寸片式電容導致開裂 284 案例39 手工焊接外掛程式導致相連片式電容失效 285 案例40 手工焊接大熱容量外掛程式時長時間加熱導致PCB分層 285 案例41 採用銅辮子返修細間距元器件容易發生微橋連現象 286

第三部分 組裝可靠性 289 第14章 可靠性概念 291 14.1 可靠性定義 291 14.1.1 可靠度 291 14.1.2 MTBF與MTTF 291 14.1.3 故障率 292 14.2 影響電子產品可靠性的因素 293 14.2.1 常見設計不良 293 14.2.2 製造影響因素 294 14.2.3 使用時的劣化因素 295 14.3 常用的可靠性試驗評估方法—溫度迴圈試驗 296 第15章 完整焊點要求 298 15.1 組裝可靠性 298 15.2 完整焊點 298 15.3 常見不完整焊點 298 第16章 組裝應力失效 304 16.1 應力敏感封裝 304 1

6.2 片式電容 304 16.2.1 分板作業 304 16.2.2 烙鐵焊接 306 16.3 BGA 307 第17章 使用中溫度迴圈疲勞失效 308 17.1 高溫環境下的劣化 308 17.1.1 高溫下金屬的擴散 308 17.1.2 介面劣化 309 17.2 蠕變 309 17.3 機械疲勞與溫度迴圈 310 案例42 拉應力疊加時的熱疲勞斷裂 310 案例43 某模組灌封工藝失控導致焊點受到拉應力作用 310 案例44 灌封膠與PCB的CTE不匹配導致焊點早期疲勞失效(開裂) 312 第18章 環境因素引起的失效 313 18.1  環境引起的失效 313 18.1.1 電化

學腐蝕 313 18.1.2 化學腐蝕 315 18.2 CAF 316 18.3 銀遷移 317 18.4 硫化腐蝕 318 18.5 爬行腐蝕 318 第19章 錫須 321 19.1 錫須概述 321 19.2 錫須產生的原因 322 19.3 錫須產生的五種基本場景 323 19.4 室溫下錫須的生長 324 19.5 溫度迴圈(熱衝擊)作用下錫須的生長 325 19.6 氧化腐蝕引起的錫鬚生長 326 案例45 某產品單板上的輕觸開關因錫須短路 327 19.7 外界壓力作用下的錫鬚生長 327 19.8 控制錫鬚生長的建議 328 後記 330 參考文獻 331  

三步驟法製備CsPbI2Br無機鈣鈦礦太陽能電池之研究

為了解決鉛 酸 電池 短路的問題,作者陳鈺穎 這樣論述:

以CsPbI2Br為吸光層所製備出的無機鈣鈦礦太陽能電池因具備良好的先天熱穩定性以及合理的能隙(Eg=1.92eV),引起了極大的關注。然而,傳統的一步法製備CsPbI2Br鈣鈦礦吸光層,通常會有低結晶性、鈣鈦礦薄膜形貌差等問題,從而影響其鈣鈦礦元件之光伏表現。在本研究中,我們開發一種全新的三步驟浸泡法,並結合甲胺蒸氣修補技術,不僅加強了無機鈣鈦礦之相穩定性,同時改善了薄膜形貌。首先透過兩步驟浸泡法製備無機鈣鈦礦CsPbI2Br,再將黃相的無機鈣鈦礦CsPbI2Br刻意浸泡於有機MAX溶液中(MAX = MAI/ MABr)用以形成有機無機的鈣鈦礦化合物,以增加對後續甲胺修補步驟時之甲胺吸收

度。接著將此刻意製作的有機無機的鈣鈦礦化合物暴露於甲胺蒸氣中形成一透明的液態中間相薄膜,使其具流動性達到平坦化以改善薄膜的形貌。最後將此有機無機的薄膜置於280℃下退火15分鐘釋放有機分子,同時也進行相轉變形成黑相的α-CsPbI2Br。通過甲胺蒸氣修補的鈣鈦礦薄膜能具有較佳的結晶性以及較好的薄膜形貌,使得後續的光伏元件特性得以提升。此外,我們改善退火流程,採取梯度熱退火的方式以減少薄膜上的孔洞以及缺陷。目前以此三步法製備的CsPbI2Br無機鈣鈦礦太陽能電池效率可達到10.9%。隨後,我們將此製程推展至本實驗室特有的水性硝酸鉛前驅物系統中。有別於PbI2/DMF系統,水性硝酸鉛前驅物系統將低

毒性的水性硝酸鉛薄膜浸泡於以異丁醇(i-BuOH)為溶劑的碘液中,使之先行轉化為片狀多孔之碘化鉛薄膜,接著再接續第一階段的研究成果之流程,利用有機MAX溶液浸泡以及甲胺蒸氣法改善薄膜形貌與結晶性,最終元件效率達到8%,分析其原因為硝酸鉛起始塗層覆蓋率不足致使鈣鈦礦層形貌更加難以控制,雖然經過甲胺蒸氣修補,最終CsPbI2Br薄膜的形貌仍不夠緻密所致,儘管如此,此製程為無機鈣鈦礦電池研究中第一個完全使用低毒性的醇類與水為溶劑的製程,希望未來經由後人的努力能有所突破。