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數位科技Quizlet融入英文教學對高職生之學習動機與學習成就影響

為了解決郭建成物理的問題，作者黃渝棻 這樣論述：

本研究主要目的是探究 Quizlet 即時反饋系統融入英文教學，對高職學生英文學習動機與學習成就之影響。本研究採準實驗研究方法(quasi-experimental design)進行。以臺中市喜樂高職 89 名學生為研究對象，分為實驗組與控制組，實驗組採反饋系統融入英文教學，控制組採傳統講述法進行，為期十週 20 堂課，每堂課五十分鐘之實驗研究教學。研究過程進行量化分析，於教學實驗前後分別以「學習英語動機量表」與「學習成就測驗」進行施測。本研究將問卷收集後 SPSS for Windows 22 電腦套裝軟體進行平均數、標準差、相依樣本 t 考驗統計分析及獨立單因子共變數（OneWay A

NCOVA）進行分析。藉以了解教師應用即時反饋系統融入英文教學對高職生學習動機與學習成就是否提升。根據研究資料結果分析，獲得以下結論：1.運用即時反饋系統融入英文教學有助於提升的英文學習成就。2.運用即時反饋系統融入英文教學對於提升實驗組學生的英文學習動機不顯著。3.實驗組學生與控制組學生之學習動機與學習成就皆有明顯差異。

具極低表面粗糙度之高性能新穎氧化鋁：氧化鋅薄膜製備

為了解決郭建成物理的問題，作者胡舜銘 這樣論述：

目錄摘 要 iiABSTRACT iii誌謝 iv目錄 v圖目錄 vii表目錄 xi第一章 緒論 - 1 -1-1 前言 - 1 -1-2 研究動機 - 2 -1-3 論文架構 - 3 -第二章 實驗基礎與理論 - 4 -2-1 氧化鋅結構與特性 - 4 -2-2 氧化鋁的結構與特性 - 8 -2-3 MOS結構基本定理 - 11 -2-3-1 平帶電壓 - 16 -2-3-2 高頻電容-電壓(C-V)理想曲線 - 19 -2-3-3 氧化層中缺陷電荷 - 21 -2-3-4 介面狀態密度(DIT) - 25 -2-4 介面狀態密度計算 - 26 -2-

5漏電流機制 - 31 -2-6 液相沉積法 - 35 -2-7 能障高度 - 37 -2-8原子力顯微鏡(AFM) - 38 -第三章 實驗分法與流程 - 40 -3-1 實驗方法與參數調配 - 40 -3-2 LPD-ZnO 沉積機制 - 41 -3-3 LPD-Al2O3 沉積機制 - 41 -3-4 LPD-Al2O3 :ZnO 實驗機制 - 41 -3-5 實驗流程 - 42 -3-5-1 前驅溶液調配 - 42 -3-5-2 清洗基板 - 43 -3-5-3 薄膜沉積機制 - 43 -3-5-4 薄膜沉積後處理 - 44 -3-6 MOS結構 - 44

-3-7 電性量測 - 46 -第四章 實驗結果與討論 - 47 -4-1 不同體積之氧化鋁摻雜對 LPD-ZnO/Si MOS 影響 - 47 -4-1-1 不同體積之氧化鋁摻雜氧化鋅沉積 SEM 圖 - 47 -4-2 不同體積之氧化鋁摻雜對 LPD-ZnO/Si 電特性的影響 - 52 -4-3總結 - 77 -第五章 結論 - 80 -參考文獻 - 81 -圖目錄圖1-1 各高介電材料能障高度 - 2 -圖2-1 氧化鋅能隙中氧空缺以 V0++ 狀態存在示意圖 - 5 -圖2-2 氧化鋅能隙中氧空缺以 V0+ 狀態存在示意圖 - 5 -圖2-3 氧化鋅能隙中氧空

缺以 V0 狀態存在示意圖 - 5 -圖2-4 六方晶隙纖鋅礦結構(Wurtzite structure) - 6 -圖2-5 氧化鋅缺陷示意圖 (a)(b)氧空缺、(c)鋅空缺、(d)(e)鋅間隙、(f)氧間隙 - 6 -圖2-6 氧化鋅能隙中 V0+ 的數量與自由載子濃度隨著時間變化圖 - 7 -圖2-7 氧化鋅薄膜中缺陷躍遷能階示意圖 - 8 -圖2-8 Boehmite 結構圖 - 9 -圖2-9 γ-Al2O3 結構圖 - 9 -圖2-10 θ-Al2O3 結構圖 - 10 -圖2-11 α-Al2O3 結構圖 - 10 -圖2-12 金屬-氧化層-半導體(MOS)

結構圖 - 11 -圖2-13 聚集層能帶電荷分布示意圖 - 12 -圖2-14 聚集層能帶電荷分布示意圖 - 12 -圖2-15 電容-電壓(C-V)曲線聚集層示意圖 - 13 -圖2-16 空乏層能帶電荷分布示意圖 - 13 -圖2-17 空乏層能帶電荷分布示意圖 - 14 -圖2-18 電容-電壓(C-V)曲線空乏層示意圖 - 14 -圖2-19 反轉層能帶電荷分布示意圖 - 15 -圖2-20 反轉層能帶電荷分布示意圖 - 15 -圖2-21 電容-電壓(C-V)曲線空乏層示意圖 - 15 -圖2-22 未外加偏壓 MOS 能帶結構 - 17 -圖2-23 熱平衡

後的 MOS 能帶結構 - 17 -圖2-24 理想電容-電壓曲線平帶電壓 - 18 -圖2-25 不同材料與不同摻雜量對金氧半功函數差變化關係 - 18 -圖2-26 理想電容-電壓曲線 - 21 -圖2-27 氧化層中四個主要缺陷的示意圖 - 22 -圖2-28 電容-電壓曲線因 Qf 之影響變化 - 23 -圖2-29 電容-電壓曲線因 Qit之影響 - 24 -圖2-30 氧化層遲滯現象(逆遲) - 24 -圖2-31 氧化層遲滯現象(順遲) - 25 -圖2-32 整個 MOS結構之等效電路 - 27 -圖2-33 空乏區之等效電路 - 28 -圖2-34 蕭特

基發射(Schotty emission)示意圖 - 31 -圖2-35 佛勒-諾德漢穿隧(Fowler-Nordheim tunneling)示意圖 - 32 -圖2-36 陷阱輔助穿隧(Trap assisted tunneling)示意圖 - 33 -圖2-37 普爾-法蘭克(Pool-Frenkel emission)示意圖 - 34 -圖2-38 能障在 MOS 結構中的示意圖 - 37 -圖2-39 理想 ZnO/p-si 能帶結構圖 - 38 -圖2-40 原子力顯微鏡(AFM)示意圖 - 39 -圖3-1 液相沉積法示意圖 - 40 -圖3-2 歐姆接觸電流-電

壓圖 - 44 -圖3-3 理想歐姆接觸與蕭特基接觸之電流-電壓曲線 - 45 -圖3-4 MOS 結構製程順序圖 - 45 -圖4-1 摻雜 0 ml 之氧化鋅薄膜 SEM 截面圖(26.05 nm) - 47 -圖4-2 摻雜 0 ml 之氧化鋅薄膜 SEM 截面圖(26.05 nm) - 48 -圖4-3 摻雜 1 ml 之氧化鋅薄膜 SEM 截面圖(66.99 nm) - 48 -圖4-4 摻雜 1ml 之氧化鋅薄膜 SEM 截面圖(66.99 nm ) - 49 -圖4-5 摻雜 3 ml 之氧化鋅薄膜 SEM 截面圖(191.7 nm) - 49 -圖4-6 摻雜

3 ml 之氧化鋅薄膜 SEM 截面圖(191.7 nm) - 50 -圖4-7 摻雜 5 ml 之氧化鋅薄膜 SEM 截面圖(290.3 nm) - 50 -圖4-8 摻雜 5 ml 之氧化鋅薄膜 SEM 截面圖(290.3 nm) - 51 -圖4-9 摻雜不同體積氧化鋁之薄膜厚度改變 - 51 -圖4-10 不同摻雜體積 C-V 圖 - 53 -圖4-11 (a)聚集區等效電路 (b)空乏區等效電路 (c)反轉區等效電路 - 54 -圖4-12 (a)整區等校電路 (b)整區等效化簡電路 (c)整區化減至最簡等效電路 - 55 -圖4-13 聚集區狀態等效電路 - 55

-圖4-14 未摻雜之 C-V,G-V 曲線 - 56 -圖4-15 摻雜 1 ml之 C-V,G-V 曲線 - 57 -圖4-16 摻雜 3 ml之 C-V,G-V 曲線 - 57 -圖4-17 摻雜 5 ml之 C-V,G-V 曲線 - 58 -圖4-18 未摻雜氧化鋁之氧化鋅遲滯曲線 - 59 -圖4-19 摻雜 1 ml 氧化鋁之氧化鋅遲滯曲線 - 60 -圖4-20 摻雜 3 ml 氧化鋁之氧化鋅遲滯曲線 - 60 -圖4-21 摻雜 5 ml 氧化鋁之氧化鋅遲滯曲線 - 61 -圖4-22 未摻雜氧化鋁之氧化鋅電流-電壓曲線 - 62 -圖4-23 摻雜 1 ml

氧化鋁之氧化鋅電流-電壓曲線 - 63 -圖4-24 摻雜 3 ml 氧化鋁之氧化鋅電流-電壓曲線 - 63 -圖4-25 摻雜 5 ml 氧化鋁之氧化鋅電流-電壓曲線 - 64 -圖4-26 摻雜不同體積氧化鋁之氧化鋅電流-電壓曲線 - 64 -圖4-27 摻雜不同體積氧化鋁之電場曲線 - 65 -圖4-28 未摻雜氧化鋁之 Schottky emission fitting 曲線 - 65 -圖4-29 摻雜 1 ml 氧化鋁之 Schottky emission fitting 曲線 - 66 -圖4-30 摻雜 3 ml 氧化鋁之 Schottky emission f

itting 曲線 - 66 -圖4-31 摻雜 5 ml 氧化鋁之 Schottky emission fitting 曲線 - 67 -圖4-32 未摻雜氧化鋁之 Fowler-Nordheim tunneling fitting 曲線 - 67 -圖4-33 摻雜 1 ml 氧化鋁之 Fowler-Nordheim tunneling fitting 曲線 - 68 -圖4-34 摻雜 3 ml 氧化鋁之 Fowler-Nordheim tunneling fitting 曲線 - 68 -圖4-35 摻雜 5 ml 氧化鋁之 Fowler-Nordheim tunneling

fitting 曲線 - 69 -圖4-36 未摻雜氧化鋁之 Trap assisted tunneling fitting 曲線 - 69 -圖4-37 摻雜 1 ml 氧化鋁之 Trap assisted tunneling fitting 曲線 - 70 -圖4-38 摻雜 3 ml 氧化鋁之 Trap assisted tunneling fitting 曲線 - 70 -圖4-39 摻雜 5 ml 氧化鋁之 Trap assisted tunneling fitting 曲線 - 71 -圖4-40 未摻雜氧化鋁之能障高度曲線 - 71 -圖4-41 摻雜 1 ml 氧

化鋁之能障高度曲線 - 72 -圖4-42 摻雜 3 ml 氧化鋁之能障高度曲線 - 72 -圖4-43 摻雜 5 ml 氧化鋁之能障高度曲線 - 73 -圖4-44 未摻雜氧化鋁之氧化鋅表面粗糙度 - 73 -圖4-45 摻雜 1 ml 氧化鋁之氧化鋅表面粗糙度 - 74 -圖4-46 摻雜 3 ml 氧化鋁之氧化鋅表面粗糙度 - 74 -圖4-47 摻雜 5 ml 氧化鋁之氧化鋅表面粗糙度 - 75 -圖4-48 摻雜不同體積氧化鋁的薄膜 AFM 比較圖 - 75 -圖4-49 摻雜不同氧化鋁體積氧化鋅能障高度與介面狀態密度 - 76 -表目錄表1-1 各高介電常數與能帶

大小 - 1 -表2-1 氧化鋁隨著溫度變化結構的改變 - 11 -表3-1 實驗研究藥品規格 - 42 -表4-1 摻雜不同體積氧化鋁之薄膜厚度改變 - 51 -表4-2 摻雜不同氧化鋁體積之 AFM 變化 - 75 -表4-3 摻雜不同氧化鋁體積能障高度與介面狀態密度改變 - 76 -表4-4 摻雜不同體積氧化鋁之氧化鋅薄膜電特性比較 - 78 -表4-5 國內外文獻平均粗糙度數據比較表格 - 79 -表4-6 國內外文獻電特性比較表格 - 79 -