讀paper 英文的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

強化學習(RL)：使用PyTorch徹底精通

為了解決讀paper 英文的問題，作者高揚,葉振斌 這樣論述：

　　本書從「零」開始，以 PyTorch框架為基礎，介紹深度學習和強化學習的技術與技巧，沒有學過微積分等高級理論的程式師也能夠讀得懂、學得會。配合漫畫插圖來調節閱讀氣氛，並在每個原理說明的部分提供比較和實例說明。   　　作者使用具有高中數學基礎的讀者就能夠了解的語言，和讀者分享如何用深度學習的利器PyTorch來完成人工智慧機器人自我進化的完整過程。   　　即使是不懂強化學習的讀者，都能透過本書完成屬於自己的簡單、實用的小專案。   　　全書重點如下： 　　●涵蓋最重要的深度學習數學基礎，但又不會過於繁雜 　　●不止強化學習，從深度學習開始著手，完整理論及實作 　　●完整DNN、CNN

、RNN、LSTM說明及實作，打下紮實基礎 　　●RL完整演算法實作，包括Q-Learning、DQN、SARSA、Policy Gradient、A3C、UNREAL模型 　　●Model-based, Model-free、OnLine, Off-line learning完全說明 　　●NEAT演算法、遺傳演算法實作，OpenAI的gym、SerpentAI實作 　　●讓AI幫你打星海爭霸、刀塔II 　　●AlphaGo、以及更強大的AlphaGo Zero原理完全解析   　　本書主要內容：  　　■ 第1章~第5章，傳統強化學習的研究目標與脈絡，主要介紹如何從一個程式設計師的角度了解

強化學習最為輕鬆，偏重於了解方式的誘導。      　　■ 第6章~第11章，本書的核心內容，介紹深度學習的原理、PyTorch架構的基礎及深度強化學習的常用演算法模型。   　　■ 第12章~第15章，有關擴充性的知識。例如，其他有助訓練模型的演算法想法，協力廠商工具外掛程式，可供實驗的環境，一些有趣的強化學習演算法和觀點，甚至模型落地過程中的最佳化與壓縮。      　　■ 附錄A 詳細記載本書相關的各種軟體環境的安裝和設定過程。   　　適合讀者群：對深度學習和強化學習有興趣的初學者，或相關技術人員。   本書特色   　　◎用簡單的範例理解複雜的強化學習概念 　　◎用幽默的語言跨過強化

學習的門檻   

讀paper 英文進入發燒排行的影片

二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用

為了解決讀paper 英文的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：

半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載

子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的

記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as

sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。