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國立臺灣師範大學 化學系 陳家俊所指導 黃奕盛的 新穎化學氣相沉積石墨烯轉印技術之開發 （2011），提出護貝膠膜厚度關鍵因素是什麼，來自於石墨烯、轉印技術、片電阻。

而第二篇論文國立臺灣師範大學 化學系 陳家俊所指導 黃耀德的 以化學氣相沉積法製備石墨烯及其官能化 （2010），提出因為有 石墨烯、化學氣相沉積法、摻雜的重點而找出了 護貝膠膜厚度的解答。

最後網站A5護貝膠膜. 全國最齊全尺寸護貝膠膜-共有300多種規格-納美斯 ...則補充：採用PET高級原料、厚度：80μ * 通過CNS15503 事務文具安全檢驗標準(無塑化劑，無重金屬) * 有13款尺寸可選* 優質護貝膜，放紙容易* 好調整位置，使用更 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了護貝膠膜厚度，大家也想知道這些：

新穎化學氣相沉積石墨烯轉印技術之開發

為了解決護貝膠膜厚度的問題，作者黃奕盛 這樣論述：

石墨烯為碳原子彼此以sp2混成軌域組成單原子層厚度的二維材料，具備了良好的透光度、化學穩定性、低片電阻、理想的功函數、高機械強度及低成本。近年來，在製備及轉印石墨烯方法有很多種，主要都是針對如何增進石墨烯的品質及改善轉印造成的缺陷，使其在提升光電元件上之應用性。此研究主要致力於單層石墨烯轉印技術上的改善，因石墨烯轉印至基板的優劣通常直接影響了光電元件的表現。本實驗使用化學氣相沉積法，以銅箔當金屬催化層，成長高品質的單層石墨烯，我們研發出二種新型轉印方法有別於傳統之轉印方法，有效的改善CVD石墨烯在矽基板及塑膠基板上的品質。第一種：我們結合了最常見的PMMA法及Roll-to-roll法，此方

法不但保有PMMA法轉印後石墨烯的高品質、低電阻的優點，同時還能利用Roll-to-roll法免除石墨烯與基板在水溶液中撈取的問題，此單層石墨烯在塑膠基板上的片電阻約為400Ω⁄sq，2D band半高寬約為36cm-1，I_G⁄I_2D ≅0.62。第二種：因為目前各種轉印方法，都需憑藉有機物的支撐，才能將石墨烯從銅箔上轉印至基板，而此方法則不需任何有機物的支撐，我們單純以物理吸附的現象，利用靜電吸引力的方式，將銅箔上的石墨烯以靜電力吸附至基板上進行轉印，毋殘留有機物，達到一個高品質且乾淨的石墨烯，此單層石墨烯在塑膠基板上的片電阻約為500Ω⁄sq，2D band半高寬約為35cm-1，I_

G⁄I_2D ≅0.66。預期這兩種簡單、快速的石墨烯轉印方式，能有效地提升光電元件效益。

以化學氣相沉積法製備石墨烯及其官能化

為了解決護貝膠膜厚度的問題，作者黃耀德 這樣論述：

　　石墨烯是以碳原子組成單層原子厚度的二維材料，具有良好的機械強度、化學穩定性、電子遷移率、高透光度等等的新穎材料，具有相當好的應用前景，例如薄膜場效電晶體(thin film field effect transistor)、薄膜透明電極(thin film transparent electrode)等等，故我們便開始著手研究石墨烯科學。　　製備石墨烯的方法非常多種，本論文採用常見的化學氣相沉積法(Chmeical Vapor Deposition ,CVD)，以銅箔(Cu foil)作為金屬催化劑，使石墨烯薄膜成功穩定的成長在金屬基板上。為了將石墨烯轉印到適當之基材上，並能夠大量並快速

準確地與太陽能電池、場效電晶體等光電元件製程相容，我們利用兩種方式：(一) PMMA法，以PMMA抓取石墨烯並以酸性溶液蝕刻基板，以人力轉印的技術使銅箔上的石墨烯能夠輕易地轉印到任何基板上。(二) 護貝機式熱脫膠，以膠膜黏取石墨烯，蝕刻後直接貼在基板上，通過護貝機熱滾軸完成脫膠。　　最後為了光電在元件應用性的改進，希望能夠(一)進一步降低石墨烯的電阻值，(二)致力於製備LWF或HWF的石墨烯。我們分別使用兩種有機小分子，以化學摻雜法(chemical doping)成功的得到LWF與HWF的石墨烯，並偵測其石墨烯所對應的功函數4.277與4.799且獲得比原始石墨烯小超過50%的電阻值，希望能

有更廣泛的應用。

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