螢幕指紋辨識不靈敏的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

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國立雲林科技大學 機械工程系 劉建惟所指導 蔡宇翔的 低發光二極體光照度偵測用之高靈敏度氫化非晶矽光二極體之研製 (2020),提出螢幕指紋辨識不靈敏關鍵因素是什麼,來自於高靈敏度、氫化非晶矽、光二極體、發光二極體、低光照度。

最後網站[討論] 現在還有非螢幕下指紋辨識的中高階手機? - Disp BBS則補充:推ppit12345: MI 11 LITE NE,778G側指紋,不過那個螢幕真的很暗,3F ... 推shter: 我用Sony Xperia 10 II 不耗電又是電源鍵辨識很方便6F 06/25 12:55.

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了螢幕指紋辨識不靈敏,大家也想知道這些:

低發光二極體光照度偵測用之高靈敏度氫化非晶矽光二極體之研製

為了解決螢幕指紋辨識不靈敏的問題,作者蔡宇翔 這樣論述:

本論文主要工作項目為進行低發光二極體光照度偵測用之高靈敏度氫化非晶矽光二極體製程最佳化,用於實現全螢幕屏下指紋辨識技術。本研究成功解決了非晶矽薄膜有較高內部缺陷密度的問題,並完成用於546 nm特定光波長低發光二極體光照度偵測之高靈敏度氫化非晶矽光二極體研製。本研究,首先使用玻璃晶片作為起始基板,接著在玻璃基板表面沉積一層SiO2,然後濺鍍鋁金屬(Al)及透明導電薄膜氧化銦錫,完成光二極體下電極製作。本研究利用非常高頻電漿輔助化學氣相沉積進行氫化非晶矽薄膜,使用金屬遮罩進行氧化銦錫上電極圖案化,圖案化後利用乾式蝕刻移除非晶矽薄膜後,光二極體元件完成製作。本研究最佳結果中,使用光強度為50 l

ux手機螢幕發光二極體光作為光源,在-1 V操作偏壓時,本研製之光二極體元件的光電流密度、暗電流密度及Jon/Joff分別為5.66x10-14 A/μm2、4.41x10-18 A/μm2及104,結果顯示光電流密度提升60.8 %,暗電流密度減少99.6 %。於546 nm特定光波長下,本研製之光二極體的外部量子效率達70.23 %,增益24 %。光響應測試結果顯示本研究可偵測到0.25 lux最低弱光,在-1 V操作偏壓時,本研製之光二極體的光電流密度及Jon/Joff分別各為2.75x10-15 A/μm2及5.2x102。