真空幫浦的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

薄膜

為了解決真空幫浦的問題，作者TatsuoAsamaki 這樣論述：

接近原子的超細微．超高密度世界 　　液晶螢幕、數位相機、微電腦……運用電漿及離子所研發的各種新科技產品，薄膜幫助我們追求更便利的未來！ 　　一聽到薄膜，立刻就能反應的人應該屈指可數吧。薄膜雖然字如其意，是指很薄的膜，但也表示了以多層分子或原子大小厚度的膜相互堆疊，製作成電子回路裝置等的先進技術。無論是現在還是未來，都絕對是各國先進企業互相競爭的領域。 　　本書將從各種面相，介紹對科技發展擁有重要貢獻的薄膜技術，並從中挑出需特別注意的重點，是簡單易懂的圖解入門書籍。在真空中利用電漿蒸鍍製作新素材的薄膜技術，究竟能帶領我們看到什麼樣的世界呢？讓我們立刻開始介紹吧！ 本書特色 　　搭配彩色插圖進

行解說，讓理解更容易，學習更有趣！ 　　從製作方法到未來的發展，全方位介紹薄膜。 　　日本工學博士執筆，深入淺出解說專業知識。 作者簡介 麻蒔立男　Tatsuo Asamaki 　　1934 年生於日本愛知縣。1957年畢業於靜岡大學工學部電子工學科，隨即進入日本電氣有限公司任職，從1967年起轉職到日電□□□□ （ 即現在的C a n o n  A N E L V A  Corporation）。1990 年至2010 年擔任東京理科大學教授及客座教授。日本真空協會個人理事。工學博士。 　　著有『真空的世界（第2 版）』、『薄膜製成的基礎（第4版）』、『超微細加工基礎（第2版）』、『簡易電氣

磁氣學』、『徹底瞭解薄膜』、『徹底瞭解超微細加工』、『徹底瞭解薄膜』（日刊工業報社）等書。

真空幫浦進入發燒排行的影片

結合Breath Figure 週期性液滴透鏡之奈米雷射直寫加工技術

為了解決真空幫浦的問題，作者黃彬勝 這樣論述：

　本研究為利用液滴透鏡輔助奈秒雷射於矽基板上加工奈米結構。開發的技術重點是利用Breath Figure法生成的高分子薄膜微孔模板，並在此模板上浸潤甘油來形成微米尺度之液態透鏡陣列，做為雷射二次聚焦之透鏡，再結合雷射熔融基板材料形成微奈米結構的製造技術。　　在Breath Figure製作上，將Polystyrene、Polymethylmethacrylate與甲苯混合成高分子溶液，透過甲苯高揮發特性以帶走基板表面熱能，使環境中水分子冷凝於基板表面，待溶液蒸發完畢形成高分子微孔薄膜。本論文使用Dip Coating方式測試兩種拉升速度，900 mm/min與400 mm/min，以製作所需

之微孔薄膜。其所形成之微孔孔徑在拉升速度900 mm/min時介於 1.2 μm 至 3.8 μm之間，400 mm/min則是介於1 μm 至3.6 μm之間，而孔洞剖面為橢圓狀，在拉升速度900與400 mm/min膜厚分別為1.5、1.2 μm。　　接著於微孔孔洞內浸潤甘油形成甘油透鏡，將雷射光經由甘油透鏡二次聚焦達到熔融矽基板。在本研究中探討不同雷射功率與不同掃描間距對於所加工出結構之影響。其結果顯示在雷射以掃描間距20 μm、正離焦4.8 mm、雷射功率密度介於1.63×107~1.74×107 W/cm2能加工出矽微奈米結構，經由量測得知微峰結構直徑介於1.1~1.4 μm之間。在

拉升速度400 mm/min所加工出來的結構高度介於20~160 nm，而在拉升速度900 mm/min結構高度介於20~130 nm。

半導體製程設備(四版)

為了解決真空幫浦的問題，作者張勁燕 這樣論述：

　　半導體元件由矽土製成矽晶圓， 再經數百個製程步驟，才製作出256M級的DRAM。這期間所使用的機器，主要的也不過十數種。晶圓成長爐、磊晶反應器、步進照像儀、化學氣相沉積爐、氧化和擴散高溫爐、離子植入機、乾蝕刻機、電子束蒸鍍機、濺鍍機、化學機械研磨機等。以及封裝製程設備、真空幫浦及系統洗淨機器等主要支援設備。本書對這些機器的構造和操作原理都有詳盡的敘述。 　　砷化鎵Ⅲ–Ⅴ化合物半導體製程，如金屬有機化學氣相沉積爐、分子束磊晶和銅製程使用設備、低介電常數介電製作設備以及一些2000千禧年推出的新機器，也都在本書有詳盡的敘述，次世代先進的製程設備也有一些介紹。本書是編著者累積多年經驗、費時一

年而完成的。期望能給想從事半導體業的同學們一項內容豐富有力的教科書。給業界的工程師、研究生、教授老們一項便捷的參考。 【作者簡介】 張勁燕 現職：逢甲大學電子系副教授學歷：交通大學電子工程研究所博士經歷：新加坡Intersil電子公司工程師　　　ITT環宇電子公司工程部經理　　　台灣電子電腦公司半導體廠廠長　　　萬邦電子公司總工程師　　　明新工專電子科副教授（或兼科主任）　　　逢甲大學電機系副教授（或兼系主任）專長：半導體元件、物理　　　VLSI製程設備及廠務　　　奈米科技　　　積體電路構裝

二段式真空產生器之參數分析與優化應用

為了解決真空幫浦的問題，作者陳品勳 這樣論述：

噴射真空產生器因體積小且產生真空方便之特性，在搬運精密及不規則形狀之物品具有優勢，故於自動化生產之應用十分廣泛。本數值研究模擬分析二段式真空產生器之流場及性能參數，包括吸入量、消耗量、真空度以及第二段最高真空度；並執行系統化之參數分析工作，包括主噴嘴、連接管、與混合排氣管之幾何參數對其性能之影響。最後整理參數分析之結果，並據以設計出兩款優化真空產生器，其中一款是以性能為目標的優化模型，另一為符合實際性能需求之最短長度真空產生器，可使其降低成本且安置更加彈性。經由數值計算與參數分析之結果顯示，原始二段式真空產生器之長度為55.5mm，達到真空度-90KPa之供給壓力為0.43MPa，此壓力下之

吸入量為45.2L/min、能源效率為20.1%，至於真空度峰值-94.2KPa則須供給壓力0.55MPa。而本文之最小體積模型之長度僅有35.5mm，於各壓力下之性能與原始模型相近，而其能源效率為20.6%；另外，此模型在供給壓力0.45MPa即可達到真空度峰值，這表示最小體積模型在運作更節省能源，且具有方便安置與成本優勢。至於另一款性能優化模型之長度為54.5mm，此模型在各壓力下所有性能皆優於原始模型，特別是在供給壓力0.4MPa時，此優化模型就已達到真空度-90KPa，且所產生之吸入量為49.0 L/min、能源效率為24.8%，明顯地較原始真空產生器高出許多；這代表性能優化模型除具有

節省能源之優勢外，還能更快地達到所需之真空度並提供更多的吸入量。綜合歸納來說，本研究建立一套系統化的設計流程，也取得各重要參數對真空產生器性能之影響，並藉此成果規劃出兩款優化模型，以滿足特定需求之二段式真空產生器的應用。