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國立中央大學 光電科學與工程學系 孫文信所指導 黃冠二的 超薄型數位攝影鏡頭在鏡頭長度2 mm以內之設計與成像面彎曲探討 （2018），提出監視器200萬畫素關鍵因素是什麼，來自於超薄型攝影鏡頭、鏡頭長度分析、像面彎曲。
而第二篇論文國立暨南國際大學 應用材料及光電工程學系 林錦正所指導 王威汶的 有機發光二極體蒸鍍遮罩製作與INVAR 箔片特性之研究 （2012），提出因為有 有機發光二極體、因瓦合金、遮罩的重點而找出了 監視器200萬畫素的解答。
超薄型數位攝影鏡頭在鏡頭長度2 mm以內之設計與成像面彎曲探討
為了解決監視器200萬畫素 的問題，作者黃冠二 這樣論述：
本論文使用8個數位攝影鏡頭之設計進行鏡頭長度的分析與像面彎曲探討，分別為30萬畫素的兩個設計、100萬畫素的一個設計、200萬畫素的四個設計與200萬畫素像面彎曲的一個設計。在30萬畫素的兩個設計中，將半視角從20度增加到30度，使得有效焦距變短，鏡頭長度從12.964 mm縮短為8.439 mm，再選擇較小的單一畫素大小，將成像高度變小，進行100萬與200萬畫素的第一個設計，其鏡頭長度分別為5 mm與2.65 mm，在200萬畫素的第二個設計中，以達到相對照度的要求下，將半視角增加至32度，使得鏡頭長度縮短為2.447 mm，在200萬畫素的第三與第四個設計中，縮短後焦距並探討鏡片之折光
率、主平面間距、厚度、折射率與第二主平面的關係，其鏡頭長度分別為2.14 mm與2 mm。當鏡頭長度越薄，像方主光線角度會越大，造成相對照度下降，場曲也同時變大，導致成像品質下降，所以鏡頭長度的縮短是有一個限制的，在200萬畫素像面彎曲的設計中，其像面的曲率半徑為-6.318 mm，修正了像方主光線角度過大的問題，並且補償場曲造成的像差，使得成像品質提高。
有機發光二極體蒸鍍遮罩製作與INVAR 箔片特性之研究
為了解決監視器200萬畫素 的問題，作者王威汶 這樣論述：
本論文主要內容為執行與中部科學工業園區管理局之產學合作，高科技設備前瞻技術發展計畫－「OLED顯示器製程關鍵零組件製作技術開發計畫」的成果；計畫旨在發展有機發光二極體 (organic light-emitting diode, OLED)顯示器所使用之INVAR基材蒸鍍遮罩(shadow mask)，並進行黃光微影濕蝕刻製程參數與鋁金屬蒸鍍模擬之基礎研究，合作單位為景智電子/工研院/暨南大學。本研究內容以計畫兩大目標為主軸：一、以2-Step蝕刻製程開發開口最小線寬為30 μm之OLED蒸鍍遮罩技術；二、以研究INVAR特性發表四篇學術性論文。第一部分，我們依照實驗程序:一、確認黃光製程解
析度及均勻度實驗；二、確認背保護層抗蝕刻能力、強度、氣泡、填孔性及去膜性測試實驗；三、鋁蒸鍍模擬。最後我們成功地與合作單位協力開發出開口最小線寬為30 μm之OLED蒸鍍遮罩。第二部分，我們針對INVAR基材如期發表了四篇特性分析的論文：一、我們發現INVAR基材在照射高能珈瑪射線後，其表面會產生疏水現象，並且隨著輻射劑量的增加，INVAR基材的表面接觸角會跟著變大。經由高解析度掃描式電子顯微鏡分析，我們發現其結果是因為基材表面的氧化物產生龜裂，且劑量愈高愈明顯；我們同時也作了蝕刻、退火等處理後之接觸角分析。二、INVAR基材的彈回係數(springback factor)會因珈瑪射線照射及重
複的冷熱交替處理而產生退化。若在照射輻射後做冷熱交替處理，發現彈回係數的退化會先消除而恢復至未經任何處理時之狀態，但隨著冷熱交替處理次數增加，退化反而又持續增加。我們相信這是因為因照射輻射而造成的彈回係數退化會在第一個的20次冷熱交替處理時有退火的效果，而隨著冷熱交替處理的次數增加最終主宰彈回係數退化的行為。三、我們以重覆(γ射線照射+冷熱交替)的處理方法來改善INVAR基材因γ射線照射或冷熱交替處理所產生的彈回係數退化，我們發現在經過5次的(γ射線照射+冷熱交替)循環後，彈回係數的退化便趨於穩定。四、我們使用原子力顯微鏡(Atomic force microscopy, AFM)來量測INV
AR基材的熱膨脹係數(Coefficient of thermal expansion, CTE)，我們使用聚焦離子束(Focus-ion-beam, FIB)在INVAR基材表面蝕刻一條長5000 μm的溝痕，利用加溫時溝痕兩端的位移來計算INVAR基材的平均熱膨脹係數，經過系統熱漂移的校正後，我們得到了與供應商提供的INVAR熱膨脹係數非常相近的數值。