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犯罪現場：李昌鈺刑事鑑識教程

為了解決洗 鍊 器 推薦的問題，作者HenryC.Lee 這樣論述：

犯罪現場的勘察，只有一次機會， 一旦錯失，真相就永難水落石出。 李俊億  臺灣大學醫學院法醫學科暨研究所教授  譯   李承龍  臺灣警察專科學校刑事警察科副教授  導讀 孟憲輝  中央警察大學鑑識科學系系主任 侯友宜  警政署前署長、中央警察大學前校長 顏世錫  警政署前署長、中央警察大學前校長 聯合推薦   鑑識科學突飛猛進，但唯有勘察人員能夠正確處理犯罪現場，它才能發揮效用。   曾參與美國九一一恐攻案、美式足球球星辛普森案，以及臺灣桃園縣長劉邦友血案、彭婉如命案、白曉燕命案、三一九槍擊案、蘇建和案等的國際鑑識權威李昌鈺，在本書為犯罪現場勘察提供獨到的系統化方法，循序漸進講解：

處理犯罪現場的基本觀念 犯罪現場的管理 犯罪現場初步勘察的步驟 犯罪現場紀錄 物證搜索 物證採取與保存 引導成功偵查的邏輯樹 現場檢驗試劑的調配與使用 特殊現場的勘察技術 犯罪現場重建     現場勘察工作關係著犯罪偵查的成敗，但卻少有專書提供這類知識，本書正是現場勘察人員最重要的參考資料。 ——顏世錫  警政署前署長、中央警察大學前校長   本書從犯罪現場基本觀念介紹、現場勘察、物證蒐集及處理，乃至於證物運用價值及現場重建，均有極為深入的介紹及講解，對於我國未來刑案現場勘察技術之提升將有極重要的影響。 ——侯友宜  警政署前署長、中央警察大學前校長   本書或將與《洗冤集錄》在我國偵

審歷史同佔重要地位，各自展現不同時代的科學家為公平正義奉獻智慧所留下的不朽足跡。 ——孟憲輝  中央警察大學鑑識科學系系主任   本書的內容精實，一再強調「犯罪現場」是證物的寶庫，是案件成敗的關鍵，所傳達現場保全、採證、鑑定觀念的寶貴之處，是想瞭解勘察人員在「犯罪現場處理與採證」的重要入門寶典，無論是警察、調查官、憲兵、檢察官、法官、律師等司法實務人員，均應人手一本。 ——李承龍  臺灣警察專科學校刑事警察科副教授   本書為犯罪現場處理提供了一種獨到的系統化與邏輯性方法。 ——《執法科技》（Law Enforcement Technology）   編撰精良、易於閱讀與理解、透徹而洗鍊的著作

……可培養出優秀的犯罪現場偵查員。 ——《鑑識科學網路期刊》（Internet Journal of Forensic Medicine） 本書為《犯罪現場：李昌鈺刑事鑑定指導手冊》改版

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p 型銅-鋅-錫-硫化物/n 型銀-銦-硫化物雙光電極於鹽水分解製氫之研究

為了解決洗 鍊 器 推薦的問題，作者陳柏諺 這樣論述：

目錄指導教授推薦書口試委員會審定書致謝.........................................................................................................iii摘要.........................................................................................................ivAbstract……………………………………………………………..…...vi第1章 緒論 - 1 -1-1前言

- 1 -1-2氫能介紹 - 4 -1-3.太陽能水分解製氫技術 - 5 -1-4研究動機 - 6 -第2章 基礎理論及文獻回顧 - 7 -2-1半導體簡介 - 7 -2-1-1 何謂半導體 - 7 -2-1-2半導體的能帶理論 - 9 -2-1-3 半導體的種類及導電特性 - 11 -2-1-4 半導體p-n接面 - 14 -2-2半導體光觸媒 - 18 -2-2-1光觸媒之電化學水分解原理 - 18 -2-2-2半導體光觸媒材料與應用 - 21 -2-2-3影響光觸媒電化學性質之原因 - 22 -2-

3.　I-II-IV-VI族四元化合物半導體介紹 - 24 -2-4.　I-III-VI族三元化合物半導體介紹 - 25 -2-5濺鍍概論 - 27 -2-5-1.電漿原理 - 27 -2-5-2.直流濺鍍 - 28 -2-5-3.射頻濺鍍 - 29 -2-5-4.磁控濺鍍 - 30 -第3章 研究方法與實驗步驟 - 31 -3-1實驗材料 - 31 -3-1-1實驗靶材 - 31 -3-1-2實驗氣體 - 31 -3-1-3 實驗基材 - 31 -3-1-4實驗藥品 - 31 -3-2 實驗設備 - 3

2 -3-3分析儀器 - 35 -3-4 實驗流程 - 37 -3-4-1基材準備與清洗 - 37 -3-4-2銅鋅錫金屬前驅物比例計算 - 38 -3-4-3銅鋅錫金屬前驅物製備 - 41 -3-4-4 銅鋅錫金屬前驅物硫化製程 - 42 -3-4-5成長銀銦硫薄膜於FTO上 - 44 -3-4-6薄膜性質分析 - 45 -第4章 結果與討論 - 49 -4-1.CZTS薄膜製備 - 49 -4-1-1.硫化步驟 - 49 -4-2.晶型結構分析 - 51 -4-2-1. X光繞射分析儀分析 - 51 -4-

2-2 拉曼光譜儀分析 - 52 -4-3薄膜組成分析 - 53 -4-4薄膜表面型態及膜厚分析 - 55 -4-5薄膜光電化學反應性質分析 - 60 -4-5-1光敏電流測試 - 60 -4-5-2電化學阻抗分析 - 62 -4-5-3可調強度式光電流頻譜(IMPS)量測與分析 - 66 -4-6 CZTS/AIS 雙光電極電化學反應性質分析 - 70 -4-6-1晶型結構分析與表面型態分析 - 70 -4-6-2光敏電流測試 - 72 -4-6-3光電流穩定度測試 - 76 -4-6-4電化學阻抗分析 - 77 -4-

6-5 IMPS測試與分析 - 81 -第5章 結論 - 83 -參考文獻 - 85 - 圖目錄圖1 1、EIA推估2012~2040年全球不同類別能源消費情形。 - 1 -圖1 2、永續發展情境於2040年能源結構 - 2 -圖1 3、台灣近十年太陽能發電量 - 3 -圖1 4、各種氫能源生產的途徑與方法。 - 4 -圖 2 1、金屬、半導體、絕緣體的能隙示意圖。 - 9 -圖 2 2、費米—迪拉克統計分佈函數對能量的關係圖 - 10 -圖 2 3熱平衡狀態下，(a)本質、(b)n型、(c)p型半導體的能帶、載子濃度、費米能階分佈及密度圖。

- 13 -圖 2 4、pn接面能帶圖 (a) p型與n型半導體能帶結構 (b) pn接面多數載子產生複合 (c) 接面處產生空乏區，內電場與漂移電流。 - 14 -圖 2 5、pn接面的載子濃度、電荷分佈，電場分佈與能帶圖。 - 15 -圖 2 6、pn接面外接電路之能帶示意圖。(a)開路(b)順向偏壓(c)逆向偏壓(d)光照下產生的逆向偏壓。 - 17 -圖 2 7、pn二極體電流電壓圖。 - 17 -圖 2 8、Honda-Fujishima所開發之n-type TiO2光電化學反應裝置。 - 19 -圖 2 9、半導體光電化學反應機制示意圖。

- 20 -圖 2 10、不同半導體光電化學反應裝置示意圖。 - 20 -圖 2 11、常見的半導體材料光觸媒能帶結構圖。 - 22 -圖 2 12、直流濺鍍裝置圖。 - 28 -圖 2 13、射頻濺鍍裝置圖。 - 29 -圖 2 14、磁控濺鍍示意圖。 - 30 -圖 3 1、實驗設備-真空濺鍍系統。 - 34 -圖 3 2、光電化學反應裝置。 - 36 -圖 3 3、硫化燒結程序圖。 - 42 -圖 3 4、實驗流程圖。 - 43 -圖 3 5、boron-doped p-type Si之IMPS圖。 - 48 -圖 4 1、C

ZTS反應機制與所需溫度圖。 - 50 -圖 4 2、樣品(A)~(E)之XRD分析圖譜。 - 52 -圖 4 3、樣品(A)~(E)之拉曼光譜分析圖。 - 53 -圖 4 4、樣品(A)之FESEM正面圖(10k(X)與20k(X))。 - 56 -圖 4 5、樣品(B)之FESEM正面圖(10k(X)與20k(X))。 - 56 -圖 4 6、樣品(C)之FESEM正面圖(10k(X)與20k(X))。 - 56 -圖 4 7、樣品(D)之FESEM正面圖(10k(X)與20k(X))。 - 57 -圖 4 8、樣品(E)之FESEM正面圖(10k

(X)與20k(X))。 - 57 -圖 4 9、樣品(A)之FESEM正面圖(15k(X))。 - 57 -圖 4 10、樣品(B)之FESEM正面圖(15k(X))。 - 58 -圖 4 11、樣品(C)之FESEM正面圖(15k(X))。 - 58 -圖 4 12、樣品(D)之FESEM正面圖(15k(X))。 - 58 -圖 4 13、樣品(E)之FESEM正面圖(15k(X))。 - 59 -圖 4 14、樣品(A)~(E)在1M的NaCl水溶液之光電流。 - 61 -圖 4 15、Randle’s model。 - 62 -圖 4 1

6、CZTS於0.5M NaCl水溶液中之等效電路。 - 63 -圖 4 17、樣品 (E) 於0.5M NaCl電解液中不照光下施加-1.0V、-0.6V、 0V偏壓之Nyquist plot量測。 - 64 -圖 4 18、樣品 (E) 於0.5M NaCl電解液中照光下施加-1.0V、 - 64 -圖 4 19、(a)完全再結合之圖形; (b)部份再結合之圖形。 - 67 -圖 4 20、載子於半導體中的傳輸行為。 - 67 -圖 4 21、半導體薄膜中電子電洞傳輸之過程。 - 68 -圖 4 22、樣品(E)在偏壓0V~ -1.0V，0.5M NaC

l溶液下IMPS圖。 - 69 -圖 4 23、樣品AIS之XRD圖。 - 70 -圖 4 24、樣品AIS之FESEM正面圖(10k(X)與15k(X))。 - 71 -圖 4 25、樣品AIS於FTO之FESEM側面圖(20k(X))。 - 71 -圖 4 26、樣品AIS在0.5M的NaCl水溶液之光敏電流。 - 73 -圖 4 27、樣品(E)與樣品AIS 光敏電流重合處。 - 74 -圖 4 28、樣品(F)之照光示意圖。 - 75 -圖 4 29、樣品(E)、(F)於0.5M NaCl水溶液之光敏電流。 - 75 -圖 4 30、樣品

(E)及樣品(F) 在0.5M NaCl水溶液偏壓為-0.6V之照光穩定性量測。 - 76 -圖 4 31、樣品(F)於0.5M NaCl水溶液中之等效電路。 - 77 -圖 4 32、樣品 (F) 於0.5M NaCl電解液中不照光下施加 -1.0V、-0.6V、 0V偏壓之Nyquist plot量測。 - 78 -圖 4 33、樣品 (F) 於0.5M NaCl電解液中照光下施加-1.0V、-0.6V、 0V偏壓之Nyquist plot量測。 - 78 -圖 4 34、樣品(F)在偏壓0V~ -1.0V，0.5M NaCl溶液下IMPS圖。 - 82 -

 表目錄表 2-1、各族常見化合物。……………………………...……….-7-表 3 1、本研究中銅靶之濺鍍率。 - 39 -表 3 2、本研究中鋅靶之濺鍍率。 - 39 -表 3 3、本研究中錫靶之濺鍍率。 - 40 -表 3 4、樣品(A)~(E)之製程參數。 - 40 -表 4 1、樣品(A)~(E)金屬前驅物薄膜之元素組成。 - 54 -表 4 2、樣品(A)~(E)硫化後薄膜之元素組成。 - 54 -表 4 3、金屬硫化後樣品厚度分析。 - 59 -表 4 4、樣品(A)~(E) 於0.5M NaCl水溶液所產生最大光敏電流值。 - 6

1 -表 4 5、樣品(E)於0.5 M NaCl電解液中施加不同偏壓之參數整理。 - 65 -表 4 6、樣品(E)於照光下之有效電容計算值。 - 66 -表 4 7、樣品(E)不同偏壓下kt與kr值。 - 69 -表 4 8、樣品(F)於0.5M NaCl水溶液中施加不同偏壓之參數整理。 - 79 -表4 9、樣品(E)與(F)照光下計算後電容值與阻抗值。 - 79 -表 4 10、樣品(E)不同偏壓下kt與kr值。 - 82 -

川端康成掌中小說集2 掌の小説

為了解決洗 鍊 器 推薦的問題，作者川端康成 這樣論述：

魔術師之花──了解川端文學必讀之作 　　《掌中小說》是川端康成的極短篇小說合集，從他的青年時代，一直創作到晚年，計有一百二十多篇作品。本書分為1、2冊，共收錄一百一十四篇。這些小說篇幅精鍊，構思精巧，點到為止卻韻味深長。彷彿一張張素描，將人們的生老病死、內心世界逐一定格，望見那些愛戀、幸福、幻想、痛苦與絕望的瞬間。 　　研究川端文學的學者長谷川泉說：「打開川端文學之門的鑰匙，不是《伊豆的舞孃》，而是《掌中小說》。」川端的文學成就，是先經過掌中小說的奠基、醞釀、發酵而成。極短篇小說的創作要求，也比短篇小說更嚴格，川端在有限的篇幅裡，創造出題材豐富，形式多元的作品，猶如掌中的萬花筒，見其深

厚的功力。 　　川端康成：「我的著作中，最懷念、最喜歡，現在還想送許多人的，其實是這些掌中小說。這些作品大半是二十幾歲寫的。許多文學家年輕時寫詩，我則是寫掌中小說代替寫詩。」

複合型p型銅-鋅-錫-硫化物/n型氧化鋅柱狀陣列於光電化學反應鹽水分解之研究

為了解決洗 鍊 器 推薦的問題，作者李政寬 這樣論述：

指導教授推薦書口試委員會審定書致謝 iii摘要 ivAbstract v目錄 vi圖目錄 ix表目錄 xiii第一章 緒論 11-1 前言 11-2 氫能基本介紹 31-2-1. 傳統產氫技術介紹 31-2-2. 太陽能水分解產氫技術 41-3 研究動機 5第二章 基礎理論與文獻回顧 62-1 半導體基礎理論 62-1-1 半導體簡介 62-1-2 半導體的能帶理論 72-1-3 半導體的導電特性 102-1-4 半導體p-n接面 122-2

半導體光觸媒 172-2-1. 光觸媒之電化學水分解原理 172-2-2. 半導體光觸媒材料與應用 202-3 氧化鋅光催化應用 222-4 I-II-IV-VI族四元化合物半導體介紹 232-5 濺鍍概論 242-5-1.電漿原理 242-5-2.直流濺鍍 242-5-3.射頻濺鍍 262-5-4.磁控濺鍍 26第三章 研究方法與實驗步驟 283-1 實驗材料 283-1-1 實驗靶材 283-1-2 實驗氣體 283-1-3 實驗基材 283-1-4 實

驗藥品 283-2 實驗設備 293-3 分析儀器 313-4 實驗流程 333-4-1 基材準備與清洗 333-4-2 銅鋅錫金屬前驅物比例計算 333-4-3 銅鋅錫金屬前驅物製備 363-4-4 銅鋅錫金屬前驅物硫化製程 383-4-5 奈米柱狀ZnO沉積 403-4-6 薄膜性質分析 42第四章 結果與討論 474-1. CZTS薄膜製備 474-1-1. 硫化製程 474-2. 晶型結構分析 494-2-1. X光繞射

分析儀分析 494-2-2. 拉曼光譜儀分析 504-3. 薄膜成份及膜厚分析 514-4. 薄膜表面型態分析 534-4-1. 場發射掃描式電子顯微鏡 534-5. 薄膜光電化學性質分析 584-5-1.光敏電流量測 584-5-2.電化學阻抗分析 604-5-3.可調強度式光電流頻譜(IMPS)量測與分析 664-6. CZTS/奈米柱狀ZnO對於薄膜性質的影響 714-6-1. 晶型結構分析與表面型態分析 714-6-2.薄膜光電化學性質分析 734-6-2-1.光敏電流量測

734-6-2-2.電化學阻抗分析 734-6-2-3.IMPS測量與分析 774-6-2-4.薄膜穩定性分析 794-6-3.薄膜光學性質分析 804-6-3-1.薄膜穿透率與反射率 804-6-3-2.薄膜直接能隙計算 82第五章 結論 83參考文獻 85圖目錄圖1- 1、永續發展情境於2040年能源結構[1]。 1圖1- 2、各種氫能源生產的可能途徑與方法[3]。 3圖2- 1、半導體的衍生示意圖[8]。 7圖2- 2、三個能階分裂為能帶示意圖[9]。 8圖2- 3、三種型態材料體能隙圖[10]。 8圖

2- 4、費米-狄拉克分佈函數對能量變化的關係圖[9]。 9圖2- 5、熱平衡狀態下，(a)本質、(b)n型、(c)p型半導體的能帶、載子濃度、費米能階分佈及密度圖[9]。 11圖2- 6、pn接面能帶圖(a)p型與n型半導體能帶結構(b)pn接面多數載子產生複合(c)接面處產生空乏區，內電場與漂移電流[12]。 13圖2- 7、pn接面的載子濃度、電荷分佈，電場分佈與能帶圖[12]。 14圖2- 8、pn接面外接電路之能帶示意圖。(a)開路(b)順向偏壓(c)逆向偏壓(d)光照下產生的逆向偏壓[13]。 16圖2- 9、pn二極體電流電壓圖[14]。 16

圖2- 10、Honda-Fujishima所開發之n-type TiO2光電化學反應裝置[15]。 18圖2- 11、半導體光電化學反應機制示意圖[17]。 19圖2- 12、不同半導體光電化學反應裝置示意圖[19]。 19圖2- 13、常見的半導體材料光觸媒能帶結構圖[20]。 21圖2- 14、直流濺鍍裝置圖[35]。 25圖2- 15、射頻濺鍍裝置圖[36]。 26圖2- 16、磁控濺鍍示意圖[37]。 27圖3- 1、實驗設備-真空濺鍍系統。 30圖3- 2、光電化學反應裝置。 32圖3- 3、硫化燒結程序圖。 38圖3-

4、實驗流程圖。 39圖3-5、活化及沉積ZnO示意圖。 40圖3-6、boron-doped p-type Si之IMPS圖[41]。 46圖4- 1、CZTS反應機制與所需溫度圖[44]。 48圖4- 2、樣品(A)~(E)之XRD分析圖譜。 49圖4- 3、樣品(A)~(E)之拉曼光譜分析圖。 50圖4- 4、樣品(A)之FESEM正面圖(10k(X)與20k(X))。 54圖4- 5、樣品(B)之FESEM正面圖(10k(X)與20k(X))。 54圖4- 6、樣品(C)之FESEM正面圖(10k(X)與20k(X))。 54圖4

- 7、樣品(D)之FESEM正面圖(10k(X)與20k(X))。 55圖4- 8、樣品(E)之FESEM正面圖(10k(X)與20k(X))。 55圖4- 9、樣品(A)之FESEM側面圖(10k(X)與20k(X))。 56圖4- 10、樣品(B)之FESEM側面圖(10k(X)與20k(X))。 56圖4- 11、樣品(C)之FESEM側面圖(10k(X)與20k(X))。 56圖4- 12、樣品(D)之FESEM側面圖(10k(X)與20k(X))。 57圖4- 13、樣品(E)之FESEM側面圖(10k(X)與20k(X))。 57圖4-

14、樣品(A)~(E)在1M的NaCl水溶液之光電流。 59圖4-15、Randle’s model。 60圖4-16、CZTS於1M NaCl水溶液中之等效電路。 60圖4- 17、樣品(A)於1M NaCl水溶液中不照光下施加-1.0V~-0.6V偏壓之Nyquist plot量測。 61圖4- 18、樣品(A)於1M NaCl水溶液中照光下施加-1.0V~-0.6V偏壓之Nyquist plot量測。 62圖4- 19、樣品(B)於1M NaCl水溶液中不照光下施加-1.0V~-0.6V偏壓之Nyquist plot量測。 63圖4- 20、樣品(B

)於1M NaCl水溶液中照光下施加-1.0V~-0.6V偏壓之Nyquist plot量測。 63圖4- 21、(a)完全再結合之圖形; (b)部份再結合之圖形[49]。 66圖4-22、載子於半導體中的傳輸行為[50]。 67圖4-23、半導體薄膜中電子電洞傳輸之過程[51]。 67圖4- 24、樣品(A)在偏壓-0.6V~ -1.0V，1M NaCl溶液下IMPS圖。 69圖4- 25、樣品(B)在偏壓-0.6V~ -1.0V，1M NaCl溶液下IMPS圖。 69圖4- 26、樣品(F)之XRD圖。 71圖4- 27、樣品(F)之FESEM正面

圖(10k(X)與20k(X))。 72圖4- 28、樣品(F)於FTO之FESEM側面圖(10k(X)與20k(X))。 72圖4- 29、樣品(B)、(F)在1M的NaCl水溶液之光敏電流。 73圖4- 30、CZTS/ZnO奈米柱陣列於1M NaCl水溶液中之等效電路。 74圖4- 31、樣品(F)於1M NaCl水溶液中不照光下施加-1.0V~-0.6V偏壓之Nyquist plot量測。 74圖4- 32、樣品(F)於1M NaCl水溶液中照光下施加-1.0V~-0.6V偏壓之Nyquist plot量測。 75圖4- 33、樣品(A)在偏壓-0.

6V~ -1.0V，1M NaCl溶液下IMPS圖。 78圖4- 34、樣品(F)照光下在1M NaCl水溶液中於-1V下之穩定性量測。 79圖4- 35、樣品(B)與(F)之穿透光譜。 80圖4- 36、樣品(B)與(F)之反射光譜。 81圖4- 37、樣品(B)與(F)之(αhυ)2對hυ之能隙圖。 82表目錄表3- 1、本研究中銀靶之濺鍍率。 35表3- 2、本研究中鋅靶之濺鍍率。 35表3- 3、本研究中錫靶之濺鍍率。 35表3- 4、樣品(A)~(E)之製程參數。 36表3-5、活化參數。 41表3-6、製備ZnO奈米柱薄膜

參數。 41表4- 1、樣品(A)~(E)金屬前驅物薄膜之元素組成。 51表4- 2、樣品(A)~(E)硫化後薄膜之元素組成。 52表4- 3、金屬前驅物薄膜與硫化後樣品厚度分析。 52表4-4、樣品(A)~(E)比例對最大光敏電流值整理表，於1M NaCl水溶液。 59表4- 5、樣品(A)於1M NaCl水溶液中施加不同偏壓之參數整理。 62表4- 6、樣品(B)於1M NaCl水溶液中施加不同偏壓之參數整理。 64表4- 7、樣品(A)與(B)於照光下計算電容值與阻抗值。 65表4- 8、樣品(A)、(B)不同偏壓下kt與kr值。 7

0表4- 9、樣品(F)於1M NaCl水溶液中施加不同偏壓之參數整理。 76表4- 10、樣品(B)與(F)照光下計算後電容值與阻抗值。 76表4- 11、樣品(B)與(F)不同偏壓下kps與krec值。 78表4- 12、樣品(B)與(F)之直接能隙值與膜厚。 82