汽車電壓不穩原因的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

電力電子學圖鑑：電的原理、運作機制、生活應用……從零開始看懂推動世界的科技!

為了解決汽車電壓不穩原因的問題，作者森本雅之 這樣論述：

　　電力電子學和我有什麼關聯？ 　　事實上，只要插上插座，開始使用電能， 　　你就與電力電子學分不開！ 　　微波爐是如何加熱？ 　　洗衣機用了什麼機制降低音量？ 　　冰箱是如何達到智慧節能？ 　　油電混合車的運作機制為何？ 　　從家電到交通工具，維持現代生活與社會運轉， 　　電力電子學可以說是必要技術！ 　　看懂電力電子學＝通曉全世界！ 　　0基礎也能看懂有關「電」的一切！ 　　技術也會一直革新，即使閱讀專業書籍或教科書， 　　也很難跟得上現實中的電力電子產品。 　　全書用圖解方式解說基礎原理、使用實例， 　　即使不是專家，也能輕鬆理解！

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電解質的濃度效應與複合式材料的製備應用於鋰離子電池之矽負極

為了解決汽車電壓不穩原因的問題，作者芭瑞斯 這樣論述：

鋰離子電池 (LIBs) 為目前儲能技術的主流。在商用鋰電池中的石墨負極因具有層狀結構，使鋰離子能在充放電過程中藉由電解質的傳輸進入石墨層中進行反應。基於鋰離子電池的技術成熟，目前已經能擴展到電動汽車市場和大規模電網系統中。因此，需要更高能量密度的電池。為了達到這項需求，替換正極和負極中活性物質是必要的。電解質也將承受較大的電位差，在低電位和高電位下都會進行分解，形成一鈍化層，稱之為固態電解質介面層 (SEI)。在此，我們研究了電解質的濃度效應，發現雙（氟磺酰基）亞胺鋰（LiFSI）濃度對於碳酸亞乙酯（EC）/碳酸二乙酯（DEC）電解質中矽負極的電容量、高速性能和循環穩定性與氟代碳酸亞乙酯

(FEC)電解質中得到相反的結果。透過拉曼光譜、穿透式電子顯微鏡、電化學阻抗光譜和恆電流間歇滴定技術對該結果進行了系統性的分析。同時，透過X 射線光電子能譜分析對固液界面化學進行了詳細的研究。發現當電解質中有適合的 LiFSI 濃度時，在EC/DE電解質中發生的鋁腐蝕現象在FEC電解質中可以被有效地抑制。在第二項研究中，將使用高電導率、良好的高維穩定性的複合式負極（Si/CNT/G）作為鋰離子電池的高能量密度負極材料，電解質為由醚側鏈吡咯烷鎓、不對稱酰亞胺和高 Li+ 濃度組成的離子液體（IL）。這種電解液首次使用於矽基鋰離子電池。醚基的分解會產生有機成分形成SEI。而高濃度的 Li+ 會促進

（氟磺酰基）（三氟甲磺酰基）酰亞胺 (FTFSI-) 陰離子的分解，產生富含 LiF- 和 Li3N 的 SEI層。具備有機-無機平衡的 SEI 層是 Si/CNT/G 負極有優異充放電性能的原因。 FTFSI− 陰離子對鋁基板有較低的腐蝕性，並與 LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2 (NCM-811) 正極具有高相容性。在 4.5 V 的高電壓下， NCM-811 在高 Li+ 轉移數 N-甲氧基乙基-N-甲基吡咯烷鎓/FTFSI IL 電解質中具有良好的可逆電容量和循環穩定性。差示掃描量熱法用於檢測脫鋰 NCM-811 與各種電解質之間的界面放熱反應。為了克服矽負極中機械劣化和低鋰擴散

速率的問題，我們製備出一種透過一氧化氮下熱處理的富矽氮化矽 (Si/SiN)。Si/SiN 奈米顆粒可透過Si3N4以及在充放電過程中於原位形成的 Li3N來提高機械穩定性與離子導電率進而改善矽負極的電化學性能。Si/SiN奈米顆粒成功地表現出優異的電化學性能，包括良好的循環穩定性和高速維持率。

鋰離子電池電極材料

為了解決汽車電壓不穩原因的問題，作者伊廷鋒,謝穎 這樣論述：

　　鋰離子電池因其具有比能量大、自放電小、重量輕和環境友善等優點而成為行動式電子產品的理想電源，也是電動汽車和混合電動汽車的首選電源。因此，鋰離子電池及其相關材料已成為世界各國科研人員的研究熱門議題之一。 　　鋰離子電池主要由正極材料、負極材料、電解液和電池隔膜四部分組成，其性能主要取决於所用電池內部材料的結構和性能。而電極材料决定着電池的性能，同時也决定電池50%以上的成本。 　　本書結合作者多年來電化學及化學電源科研與教學經驗，介紹了各類電極材料以及電極的制備方法與結構，着重介紹了高性能鋰離子電池正極的設計與功能調控，包括了：層狀電極材料、尖晶石電極、磷酸鹽正極材料

、矽酸鹽正極材料、碳負極材料、鈦基電極材料以及鈦酸鋰電極材料等多種電極材料的設計與性能。適宜從事電池電極設計與製造的科研及技術人員參考。

超接面金氧半場效電晶體各類參數之模擬與設計

為了解決汽車電壓不穩原因的問題，作者劉柔沁 這樣論述：

功率金氧半場效電晶體 (Power MOSFET)，具有導通電阻小、損耗低、驅動電路簡單等優點，其相關應用如: 消費性電子產品、通訊設備、汽車電子以及工業電子等領域。 超接面金氧半場效電晶體(Superjunction MOSFET)是相當被看好的Power MOSFET元件之一，其於600V至1000V的範圍內有著相較其他功率元件極低的導通電阻。 而Superjunction MOSFET 與傳統垂直式的功率金氧半場效電晶體(VDMOSFET)的不同之處在於其 P-Body下方有一段垂直延伸的P柱(P-pillar) ，此設計能大幅提升元件的崩潰電壓，但由於過程中若有電荷不平衡的情形

出現將造成元件耐壓的下降，故如何設計將成為一大考驗。 於本論文我提出600、800、1000V超接面金氧半場效電晶體(Superjunction MOSFET) 之設計並將針對其結構與特性進行一系列之研究，並且使用模擬軟體(ISE-TCAD) 對元件進行模擬，進而歸納出可能出現電荷不平衡的各種情況及如何改善之，來達成電荷平衡之設計。 超接面金氧半場效電晶體(Superjunction MOSFET)除了使元件的主動區處於電荷平衡外，為了防止元件在終端區發生提早崩潰，故需避免在邊界區域有大電場的聚集。若邊界區域電位分佈不均勻，將導致元件提早崩潰。故減緩元件接面末端的大電場將是結構設計的重點。

於本論文中我使用ISE-TCAD模擬軟體，模擬不同Cell Pitch且耐壓分別為700 V和1000 V之接面終端延伸(Junction Termination Extension，JTE)結構結合以溝槽填充法(Trench Filling)製程的Superjunction MOSFET 終端區，並分析其元件特性。