橋式電阻的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

2023基本電學(含實習)完全攻略：根據108課綱編寫(升科大四技二專)

為了解決橋式電阻的問題，作者陸冠奇 這樣論述：

　　◎比補習更有效率，快速攻略基本電學 　　◎結合實務操作及運用，強化學習統整 　　◎必讀關鍵全在這一本，考前衝刺最有效 　　本書特請國立大學教授編寫，作者潛心研究108課綱，結合教學的實務經驗，搭配大量的電路圖，保證課文清晰易懂，以易於理解的方式仔細說明。各章一定要掌握的核心概念特別以藍色字體標出，加深記憶點，並搭配豐富題型作為練習，讓學生完整的學習到考試重點的相關知識。另外為了配合實習課程，書中收錄了許多器材的實際照片，讓基本的工場設施不再只是單純的紙上名詞，以達到強化實務技能的最佳效果。 　　根據教育部107年4月16日發布的「十二年國民基本教育課程綱要」以及技專校院招生策略委員

會107年12月公告的「四技二專統一入學測驗命題範圍調整論述說明」，本書改版調整，以期學生們能「結合探究思考、實務操作及運用」，培養核心能力。 　　基本電學此一考試科目包含的範圍相當廣泛，乍看之下不易準備，但因課程範圍廣泛，可供命題的重點多，為求出題分布均勻，反不易出現艱深偏僻之題目，使得考試難易度並不如想像中的困難。而基本電學實習雖然與基本電學分列在專業科目(二)和(一)中，但其考試範圍和內容卻相當類似，一起準備可收事半功倍之效，故本書將此兩科目一併收錄，並由名師依課綱精心編列重點，期能藉由本書，以最短的時間，熟悉本科的考試重點，提升讀書效率。 　　本書希望以最精要的方式，去蕪存菁，刪除

不曾考過或極少出現的內容，以最有效率的方式，利用有限的時間及精力專注在曾經考過以及可能會再考的範圍上，並且將內容以有系統的圖表來整理，比起冗長的文字說明，簡單扼要的圖表說明更能快速地幫助釐清基本觀念，書本文字內容不一定要多才能達到效果，簡單易懂的傳達方式，才是最適合的準備方法。 　　考試要拿高分，不只是讀懂讀會而已，還要知道如何在有限的時間內快速的作答，唯有靠平日多加演練才能完成。本書在各重點後整理相關的經典考題演練，讓考生能隨時自我檢視自我學習成果。另外，書後更收錄了最新試題，並由名師題題解析，藉由練習歷屆試題來理解考試脈絡。 　　整體而言，此科目要考滿分並不困難，但是天下事沒有不勞而獲

的，正所謂一分耕耘，一分收獲，除藉由本書掌握重點外，建立正確的讀書方法，充分且有效規劃您的複習計劃，努力不懈，才能事半功倍，邁向成功。 　　有疑問想要諮詢嗎？歡迎在「LINE首頁」搜尋「千華」官方帳號，並按下加入好友，無論是考試日期、教材推薦、解題疑問等，都能得到滿意的服務。我們提供專人諮詢互動，更能時時掌握考訊及優惠活動！

橋式電阻進入發燒排行的影片

利用碲為源層金屬電橋電阻式記憶體之轉換特性與類神經應用

為了解決橋式電阻的問題，作者李承宥 這樣論述：

電阻式記憶體之所以被視為最有潛力的非揮發性記憶體，是因具因有高密度、低功耗、高操作速度、價錢較低和可以做為三維結構等許多優勢。電阻式記憶體還有一個非常重要且實用的特性，就是它可以應用在類神經網路的運算。電阻式記憶體擁有可調控的阻值，以此特性可以用來模仿生物神經間的突觸權重變化，進而運用於類神經系統，而作為神經突觸，其中最重要需求及指標包含了穩定的類比電阻切換特性和擁有良好的線性度，許多文獻指出，元件有低非線性度與良好的穩定性的特性，在未來導入類神經運算後，應用於機器學習時會有更好的精確度和學習正確率。在本文中我們探討氧化鉭基電橋式記憶體之轉換特性與類神經應用。第一部分，我們比較以銅和碲作為氧

化鉭基電橋式記憶體之上電極，製作出不同的電橋式記憶體且比較之，並嘗試改變鉭中間層之厚度以優化元件特性；在第二部分，我們插入了一層鈦，因為鈦對於氧擁有較大的親和力，因此可以在氧化鉭中製造更多氧空缺，成功製作出具有類比電阻切換特性的電阻式記憶體，透過多層結構的方式使得類比電阻切換的非線性度獲得改善；第三部分，由於氮化鋁有較高的熱傳導係數，我們透過在氧化鉭下添加一層氮化鋁薄膜大幅提升了元件操作的可控阻態變化與重複性，循環的增強及抑制行為可穩定操作高達500次，且單次的增強及抑制可以從50個阻態進步到500個阻態，非線性度也得到更進一步提升，增強及抑制的非線性度分別為1.74與2.59，且透過熱退火的

方式使得耐久度獲得改善，直流電壓操作下耐久數可以由800提升到4500次，此改善使元件更適合實現理想的類神經網路 ; 最後，我們比較該類比突觸元件再添加氮化鋁薄膜前後的電阻轉換機制，並建構出導電燈絲示意圖來做解釋。

基本電學(第九版) 

為了解決橋式電阻的問題，作者賴柏洲 這樣論述：

　　本書循序漸進的介紹基本電學知識，並在每一個定理、定義、敘述之後，均有例題加以說明，幫助讀者迅速的瞭解本書內容，奠定將來學習電子學、電路學及其它亦專業課程的基本觀念，是本非常好的基本電學入門教科書。 本書特色 　　1.本書作者以其多年的教學經驗，參考國內外之基本電學、電路學電路分析方面的書籍，並加上個人教學心得，編纂而成此書。 　　2.本書詳盡的介紹基本電學之基本定理與定義，是進入電子學、電路學之領域不可或缺的一本入門書。 　　3.各章加入生活中的電學應用─電學愛玩客，介紹藍牙、太陽能電池、光纖等，祈使讀者更能靈活思考基本電學之應用。

碲基導電橋式隨機存取記憶體之特性與可靠度研究

為了解決橋式電阻的問題，作者林俊安 這樣論述：

在此篇論文中探討了以碲(Te)為離子源的導電橋式隨機存取記憶體之可靠度，並分成三個主題討論。第一部分，使用無氧元素的氮化矽做為轉態層，避免產生氧空缺的傳導絲，確立傳導絲由碲元素構成，另外，無氧元素的氮化矽層有效減低傳導絲的擴散，可增加資料保存的能力；此部分比較了使用碲及碲鈦化鎢作為上電極的記憶體元件特性。第二部分，為了降低形成電壓並增加轉態層的均勻性，使用相容於CMOS製程中做為高介電系數氧化物的氧化鉿，此層使用原子層沉積5奈米，因厚度減少故可降低形成(forming)電壓；此部分比較了使用鉭與鎢化鈦為阻障層的記憶體元件特性。第三部分，因為前兩部分的元件，在重複擦寫後的高阻態電阻值具有不穩定

性，電阻開關比因而下降，所以此部分的元件轉態層為氧化鉿層上沉積氮氧化鉿層，在一定的轉態條件下，可以有效提升電阻開關比。各部分的詳細敘述如下。第一部分中討論了在鈦化鎢/氮化矽/氮化鈦上使用碲及碲鈦化鎢為上電極之電阻轉換記憶體的轉態特性。因為束縛能的降低，使得以碲鈦化鎢為上電極的元件有較佳的雙元電阻轉換特性。此結果可由X射線光電子能譜分析中確認。碲鈦化鎢為上電極的元件，在形成(forming)過程後產生了類金屬的絲，且其擦除(reset)過程對應了熱熔解的機制。此處也建立了一個以碲絲為基礎的物理模型用來解釋轉態現象。以碲鈦化鎢為上電極的元件提供了優良的耐久性，可超過10^4的重複擦寫次數，且其開關

比為500。另外，此元件在225°C下的保存時間可達10^4秒。此轉態特性的改善可歸因碲絲在形成過程與寫入(set)過程的強度增加，使其在高溫下較可免於擴散。於第二部分討論了以氧化鉿為底且碲鈦化鎢為上電極的導電橋式隨機存取記憶體元件，而使用不同阻障層之特性影響。由X射線光電子能譜分析中發現，因為鈦化鎢阻障層的記憶體元件，其轉態層中的氧空缺少於使用鉭阻障層的元件，使得高溫下的碲絲在轉態層中擴散可被侷限，因此有較佳的高溫保存能力。碲鈦化鎢/鈦化鎢/氧化鉿/氮化鈦的記憶體元件有超過10^4的重複擦寫次數，其開關比為200，並且在200°C下的保存時間可達10^4秒。最後的部分探討了雙層結構氮氧化鉿/

氧化鉿的記憶體元件，此結構用於降低讀取電流的變異性並且增大了記憶窗。碲鈦化鎢/鉭/氮氧化鉿/氧化鉿/氮化鈦的記憶體元件可超過10^4的重複擦寫次數，且其開關比為5000。