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奇才：揭開擁有非凡創造力的祕密

為了解決平價電動車推薦的問題，作者MelissaA.Schilling 這樣論述：

《金融時報》譽為「管理學上的創舉！」 用奇才的七大特質複製出創新團隊！   　　賈伯斯、馬斯克、愛因斯坦……為什麼他們能夠一次次用創新改變世界？ 　　紐約大學管理學教授揭示創意的根源，數位時代人人應讀的創新寶典 　　《彭博商業周刊》、《CNBC》、《USA Today》、《哈芬登郵報》、 　　《金融時報》、《紐約客》、《 800 CEO READ》一致好評推薦 　　★商業周刊1696期書摘選書 ★經理人5月號商管選書 　　創意人才一直是企業夢寐以求的，各大企業與人資無不四處探尋。那麼，若是告訴你，這個尋找的想法可以倒轉過來：透過拆解連續性突破創新者的特質，複製出相似的環境條件，就

能打造、提高人才的創意能力呢？ 　　世界一流的創新領域專家梅麗莎‧席林用《奇才》這本書，做了一個培養創意人才的管理實驗，用嚴謹、實證科學方式將「管理理論」與「個人傳記」編織在一起，完美結合出一套培養創意人才的管理技巧。 　　什麼是奇才？ 　　他們是連續性突破創新者，窮盡畢生心血在創造與追尋驚人想法、挑戰假設論點、以及實現看似不可能的事，並一次又一次改變遊戲規則。 　　哪些人被認為是奇才？ 　　愛迪生、愛因斯坦、賈伯斯、馬斯克……他們都在不同領域實現多次創新，從而改變整個世界。 　　奇才有哪些特質？ 　　疏離感、極度自信、創意思維、目標遠大、工作動力、時代機遇以及善用資源等七大特質。

　　如何運用在管理上？ 　　透過拆解連續性突破創新者的特質，複製出相似的環境條件，讓普通人和企業組織也能實際運用，提高自身與周圍的人的創造能力。 名人推薦 　　《彭博商業周刊》、《CNBC》、《USA Today》、《哈芬登郵報》、《金融時報》、《紐約客》、《 800 CEO READ》一致好評推薦 　　數感實驗室共同創辦人 賴以威 　　泛科學知識長 鄭國威 　　知名作家、心理導師 劉軒 　　職人簡報與商業思維專家 劉奕酉     　　M.ZONE大港自造特區執行長 楊育修 　　商業思維學院院長　游舒帆 　　iKala 共同創辦人暨執行長 程世嘉 　　知名行銷營運專家 李建勳 　　(依姓

名筆畫排列) 國內推薦 　　「這是一本可隨時閱讀，用以檢視自我特質和創造氛圍的書籍，梅麗莎‧席林藉由從古至今，我們耳熟能詳的八位人物故事，挖掘創造力的共性。若你有書中這些特質，卻不知道該怎麼創造，閱讀一遍是不夠的，時常閱讀它、檢視它，將喚起你內在的創新潛力。」──知名行銷營運專家 李建勳 　　「透過這本書，我們得以窺見奇才們讓『偶然』成為『必然』的特質與機制，從而反思自我成長與釋放創新潛能的可能性。我們未必能像這些奇才一樣，擁有改變這個世界的能力，卻可以從書中獲得改變自己世界的啟發與建議。此外，這本書結合了科學研究的視角與傳記陳述的方式，同樣令人深深著迷。」──職人簡報與商業思維專家 劉

奕酉 　　「『瘋狂到自以為能夠改變世界的人，才是真正改變世界的人』，但這些帶動世界創新的奇才一開始提出觀點時，往往被認為是精神有問題的異端，最後憑藉個人特質與機運，過濾雜音，整合思緒，用自己的方式把創新從邊陲推向主流，成功的改變了已知的世界。由此看來，如書中所言，每個人都有自己不同於他人之處，都有成為奇才的潛力。看完這本書，我發現我真的是奇才，看得我也想改變這個世界。你呢？」──Ｍ.ＺＯＮＥ大港自造特區　執行長 楊育修 國外推薦 　　「引人一覽突破性創新人士的思維、經驗及想法的奇幻旅程，梅麗莎‧席林的《奇才》是傳記結合社會科學的非凡成就，將改變您對人生勝利組與勝利的看法。」──隆‧艾德納

（Ron Adner），《創新拼圖下一步》（The Wide Lens）作者。 　　「少數幾名偉人改變世界的成就，讓所有人蒙受恩惠。他們為何如此與眾不同？梅麗莎‧席林這本書是我看過的相關著作中最好的一本，她將八位超級創新者引人入勝的故事，以嚴謹、實證科學方式編織在一起。好好閱讀並分享給朋友，或許能激發出另外兩名改變世界的人物。」──艾瑞克‧布林優夫森（Erik Brynjolfsson），《第二次機械革命》與《機器，平台，群眾》的共同作者。 　　「《奇才》是一本饒富興味且構思巧妙的書，帶人探究那些以創新改變世界的『奇才』人生。梅麗莎‧席林透過創造性與獨特性、努力和堅持以及環境優勢等主題，比

較了愛迪生、馬斯克、愛因斯坦、居禮夫人和其他許多創新者的人生。」──大衛‧布林（David Brin），《郵差》（The Postman）、《透明社會》（Transparent Society）及《存在》（Existence）等著作的獲獎作家。 　　「梅麗莎‧席林仔細分析了經濟史上幾位頂尖的發明家，在發明與創新方面絕妙的推導出有力且新穎的見解。對於任何熱中於科學、創新史，以及增加世界有益知識流動的人來說，這是本不可多得的好書。」──亨利‧伽斯柏（Henry Chesbrough），《開放式創新》（Open Innovation）作者。 　　「我喜愛本書，它讓我思考關於思考這件事。席林強烈指

出，在一個教育和科學領域廣泛採用統計方式的社會裡，我們似乎只會走向平庸的中間值，而為工業與文明變革帶來重大創新的人，通常仍是那些認為自己方式較好、思想怪異的人。如何成為另一位特斯拉、居禮、賈伯斯和馬斯克？席林在本書予以解答。」──羅伯特‧科林格利（Robert Cringely），《意外的帝國》（Accidental Empires）、《書呆子的勝利》（Triumph of the Nerds）及《電腦狂2.0.1》（Nerds 2.0.1）等書作者。 　　「嗯……《奇才》是本題材奇特的書，針對諸位傑出創新者進行具說服力的多重個案分析。雖然這些人物的才智驚人，但席林巧妙融入敏銳的洞察力，讓我

們其他人也能增進自己的創新能力。真是太棒了！」──凱薩琳‧艾森豪特（Kathleen M. Eisenhardt），《簡單準則：活用6種準則，讓你擺脫職場與生活的複雜困境》（Simple Rules: How to Thrive in a Complex World）的共同作者。 　　「呼籲創新的口號清澈而響亮，但如何響應號召仍不明朗。席林提供的並非烹飪食譜，而是以一群傑出非凡創新者的人生來說明的基本原料。她祕密醬汁的關鍵是從不同角度思考的『距離』、將洞察力付諸實現的熱情，以及促成上述因子的天時地利。這是一本帶有啟發性的傳記，以及凝聚寶貴經驗的迷人讀物。」──丹尼爾‧利文瑟（Daniel L

evinthal），賓州大學華頓商學院。 　　「《奇才》提醒我們要理解非凡人物時，異數和另類份子都是寶貴的導師。他們能夠打破社會期望、有信心解決看似棘手問題以及擁有社交技巧激勵他人，確實不同於常人。席林的書帶我們踏上一段鼓舞人心的探索之旅，引領我們清楚看到那些隱藏於平凡中的不凡。讀完本書會對真正的天才有另一番理解。」──莉塔‧麥奎斯（Rita McGrath），哥倫比亞大學。 　　「一個商學院教授能寫出令人愛不釋手的書並不多見，但《奇才》確實辦到了。梅麗莎‧席林巧妙融合了馬斯克和瑪麗‧居禮等激進創新者的生平故事，更採取專業的剖析，揭露他們潛在的共通性。」──佛里克‧威爾繆倫（Freek V

ermeulen），倫敦商學院。 媒體評論 　　「一場娛樂兼具啟發性的閱讀之旅，探索八位突破性創新者非凡的個人能力、特質和動機。一本完美結合『管理理論』與『個人傳記』的新嘗試。」——《金融時報》(Financial Times) 　　「席林讚揚反傳統的個人主義，但認為創造力卻可以屬於眾人。透過描述八個連續突破創新天才的故事，交織出創意特質的地圖指引」——《紐約客》（The New Yorker） 　　「《奇才》既是出色的傳記，且有用的領導指南。這是一本簡單易懂的書，深入探索那些偉大的個人創新者的生活及使其成功的特質，也為我們如何在自己和組織中培養這些特質，提供了有益的指導。」—800

CEO READ 　　「這本書看起來像是研究那些非凡的人，但實際上是幫助我們挖掘每個人內在的創新潛力。」——《戰略與經營》(Strategy + Business)  

平價電動車推薦進入發燒排行的影片

運用文字探勘技術於機車討論區環保議題之研究：以 mobile01 為例

為了解決平價電動車推薦的問題，作者姜慶暉 這樣論述：

近年，全球暖化的議題熱度不斷上升，空氣污染的問題也日益嚴重，如何減少碳排放量，一直是面臨的重要課題之一。在臺灣有相當廣大的機車使用族群，而隨著民眾近年環保意識的抬頭及企業社會責任（Corporate Social Responsibility, CSR）等觀念逐興起，也讓不少民眾放棄了燃油機車而選擇了電動機車作為代步的工具。為了了解燃油機車與電動機車使用者所談論的議題差異及他們是否在環境維度上有不同程度的關心，本研究以Mobile01上的兩大類型機車論壇內容作為分析資料。為此，本研究分析GRI Standards準則及上市櫃公司的所公開的CSR報告書，並發展了二階段TF-IDF文字探勘技術，

建構出關於CSR中經濟維度、環境維度與社會維度的詞庫。接著，利用所建構的CSR詞庫分別動機車與燃油機車論壇內容裡探勘出CSR三個維度在過去十年的聲量變化。隱含狄利克雷分布模型(Latent Dirichlet Allocation, LDA) 用來進行主題分析，了解電動機車與燃油機車車主的討論主題及對環境維度關注上的差異，並探討這些議題在過去十年的變化趨勢。最後，我們針對分析出來的議題類型，歸納出一些推動電動機車發展的相關建議。並且也提供在此研究過程中所形成的CSR詞庫給後續需要從事相關研究的使用者使用。

圖解電動車大未來：從燃油引擎轉換為電動馬達的全球巨大商機

為了解決平價電動車推薦的問題，作者村澤義久 這樣論述：

　　★第一本，讓你全面了解電動車最新技術發展和全球市場趨勢！ 　　◎車輛全面電動化全球倒數和其巨大商機： 　　‧2025年：挪威 　　‧2030年：德國、印度 　　‧2040年：台灣、法國、英國 　　‧2025年市場規模將達一兆美元 　　‧中國電動車市場占全球銷售量的五成 　　隨著越來越多國家積極面對環境議題，電動車也成為了未來的大趨勢。相對於燃油車，電動車的製造門檻較低，除了Tesla、Benz、BMW、Nissan等大廠外，許多新興的電動車企業如比亞迪、Fisker等品牌，也成為市場新寵，連製造吸塵器的Dyson、Sony、松下等異業，也紛紛加入電動車這塊大餅。 　　作者以圖解的

方式，將電動車最新技術、各品牌市場策略、全球銷售趨勢，搭配簡明易懂的文字，讓你更完整掌握電動車未來的走向。如果你想了解電動車，這是第一本全面性解說的書；如果你是汽車行業相關人員，這本書的資料和數據，有助於你建構全球電動車的最新版圖。 各界推薦（依姓名筆畫排列） 　　吳宗霖　一手車訊／車訊網總編輯 　　李柏鋒　INSIDE主編 　　曾彥豪　知名車評／小七車觀點創辦人 　　楊雅雲　綠學院創辦人 　　綠動未來創辦人　劉小麟　專文推薦 好評推薦 　　這本書完整介紹電動車與燃油車的歷史，以及當今電動車市場現況，突顯出百年車廠所面臨危機，如同傳統單眼相機對上數位相機、傳統相機底片對上數位儲存記憶卡

的轉變。——劉小麟　綠動未來創辦人

磊晶基板結構對氮化鎵/氮化鋁鎵MSM壓變電容元件電性之影響及其應用研究

為了解決平價電動車推薦的問題，作者羅浩綜 這樣論述：

目錄長庚大學碩(博)士學位論文指導教授推薦書 ...........................................長庚大學碩(博)士學位論文口試委員審定書 ...........................................致謝 ...........................................................................................................iii摘要 .....................................................

......................................................ivAbstract...................................................................................................... v目錄 ..........................................................................................................vii圖目錄 ................

.......................................................................................ix表目錄 .....................................................................................................xiii第 1 章 緒論 ........................................................................................... 1

1-1、前言........................................................................................... 11-2、研究目的................................................................................... 21-3、論文架構................................................................................... 5第 2 章 實驗原理.....

.............................................................................. 62-1、AlGaN/GaN 異質結構.............................................................. 62-2、AlGaN/GaN HEMT 工作原理 ................................................. 82-3、基板特性比較.....................................................

.................... 16第 3 章 實驗步驟及方法..................................................................... 193-1、磊晶片製備............................................................................. 193-2、實驗步驟與方法..................................................................... 223-3、CV/IV 量測、S 參數量測.

..................................................... 30第 4 章 實驗結果與數據分析............................................................. 324-1、電容電壓特性分析................................................................. 344-2、電流電壓特性分析................................................................. 484-3、S

Parameter 量測.................................................................... 564-4、快速電壓脈衝(Pulse Voltage Injection)................................. 634-5、特殊磊晶結構......................................................................... 66第 5 章 結論與未來展望..............................................

....................... 68參考文獻 .................................................................................................. 70 圖目錄圖 1-1 GaN 在高頻通訊上的應用 ............................................................ 4圖 2-1 二維電子氣（two-dimensional electron gas）.............................. 7圖 2-2 典型的

AlGaN/GaN HEMT 元件示意圖 ...................................... 8圖 2-3 AlGaN/GaN MSM-2DEG Varactor 元件結構 3D 示意圖 ............ 9圖 2-4 將 AlGaN/GaN MSM-2DEG Varactor 圖形做在 GaN/Si 基板上，以長度 2000μm 作代表..................................................................... 9圖 2-5 MSM 結構 3D 示意圖......................

............................................ 10圖 2-6 齊納二極體電壓電流特性........................................................... 11圖 2-7 TVS 電壓電流特性 ...................................................................... 11圖 2-8 金屬-半導體（有 2DEG）金屬結構的電流電壓特性.............. 12圖 2-9 金屬-半導體（無 2DEG）金屬結構的電流電壓特性.....

......... 12圖 2-10 壓變電容無 2DEG 之 CV 示意圖............................................. 14圖 2-11 壓變電容有 2DEG 之 CV 示意圖............................................. 14圖 2-12 MSM 空乏區變化示意圖........................................................... 15圖 3-1 GaN EPI Structure on Silicon ........................

............................... 20圖 3-2 磊拓 GaN EPI Structure on Sapphire ........................................... 21圖 3-3 林教授 GaN EPI Structure on Sapphire with Only 3 Layers....... 21-x圖 3-4 實驗流程圖................................................................................... 22圖 3-5 旋轉塗佈機（Sp

in Coater）........................................................ 25圖 3-6 加熱板（Hot plate）.................................................................... 26圖 3-7 黃光室-曝光機台.......................................................................... 26圖 3-8 MSM 壓變電容，電極長度 2000μm 以及 1500μm，電極間距40μm ...

.............................................................................................. 27圖 3-9 MSM 壓變電容完成之晶片......................................................... 29圖 3-10 E4980A 機台（量測 CV curve）.............................................. 30圖 3-11 Keithley 機台（量測 IV curve）...............

................................ 30圖 3-12 MSM 覆晶後樣品....................................................................... 31圖 3-13 網路分析儀機台（量測 S 參數）............................................. 31圖 4-1 Si MSM 元件完成結構示意圖.................................................... 32圖 4-2 Sapphire MSM 元件完成結構示意

圖 ......................................... 32圖 4-3 MSM 圖形長 2000μm .................................................................. 33圖 4-4 MSM 圖形長 1500μm .................................................................. 33圖 4-5 公式推導示意圖.............................................................

.............. 35圖 4-6 Silicon MSM 電極長度 2000μm 之 CV 量測 ............................. 37圖 4-7 磊拓 Sapphire MSM 電極長度 2000μm 之 CV 量測 ................. 38圖 4-8 磊拓 Sapphire MSM 電極長度 1500μm 之之 CV 量測 ............. 39-xi圖 4-9 Lin Sapphire Epi Layer ............................................................

..... 40圖 4-10 Lin Sapphire 22nm MSM 電極長度 2000μm 之 CV 量測........ 41圖 4-11 Lin Sapphire 33nm MSM 電極長度 2000μm 之 CV 量測........ 42圖 4-12 Lin Sapphire 44nm MSM 電極長度 2000μm 之 CV 量測........ 43圖 4-13 厚度－電容歸一化曲線............................................................. 45圖 4-14 厚度－VPO歸一化曲線................

.............................................. 47圖 4-15 下探針示意圖............................................................................. 48圖 4-16 Silicon MSM 電極長度在 2000μm 的 IV 特性曲線................ 49圖 4-17 Sapphire MSM 電極長度在 2000μm 的 IV 特性曲線.............. 50圖 4-18 Sapphire MSM 電極長度在 1500μm 的 IV 特

性曲線.............. 51圖 4-19 Lin Sapphire 22nm MSM 電極長度在 2000μm 的 IV 特性曲線........................................................................................................... 52圖 4-20 Lin Sapphire 33nm MSM 電極長度在 2000μm 的 IV 特性曲線....................................................................

....................................... 53圖 4-21 Lin Sapphire 44nm MSM 電極長度在 2000μm 的 IV 特性曲線........................................................................................................... 54圖 4-22 MSM 覆晶後成品....................................................................... 56圖 4-23

Silicon MSM 電極長度在 2000μm 的 S 參數曲線................... 57圖 4-24 Sapphire MSM 電極長度在 2000μm 的 S 參數曲線................ 58圖 4-25 Sapphire MSM 電極長度在 1500μm 的 S 參數曲線................ 59-xii圖 4-26 Lin Sapphire 22nm MSM 電極長度在 2000μm 的 S 參數曲線60圖 4-27 Lin Sapphire 44nm MSM 電極長度在 2000μm 的 S 參數曲線61圖 4-28 PVI 電磁脈衝產生

器 ................................................................. 63圖 4-29 PVI 標準波形.............................................................................. 64圖 4-30 Silicon MSM 殘餘電壓 ............................................................. 64圖 4-31 磊拓 Sapphire MSM 殘餘電壓 ..................

............................... 65圖 4-32 Double 2DEG MSM 元件完成結構示意圖 .............................. 66圖 4-33 Double 2DEG MSM 電極長度在 2000μm 的 CV 特性曲線 ... 67 表目錄表 1-1 基本材料特性表............................................................................. 2表 2-1 常用半導體材料特性表....................................

........................... 16表 2-2 GaN 在不同基板成長特性 .......................................................... 18表 3-1 Specification of GaN EPI on Silicon............................................. 20表 4-1 厚度與電容關係........................................................................... 45表 4-2 厚度與

Pinch-off Voltage 關係..................................................... 47表 4-3 元件最大崩潰電壓....................................................................... 55