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壓敏電阻規格的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦蕭敏學寫的 大學電子學實習(一) - 電子電路分析篇 - 附MOSME行動學習一點通:加值 和盧明智,陳政傳的 感測器原理與應用實習 - 最新版(第四版) - 附MOSME行動學習一點通:影音都 可以從中找到所需的評價。

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這兩本書分別來自台科大 和台科大所出版 。

南臺科技大學 機械工程系 王聖禾所指導 陳炯翔的 薄型壓電式力量感測器設計開發與應用於半導體搬運天車之升降力量監控 (2021),提出壓敏電阻規格關鍵因素是什麼,來自於自動化生產技術、薄型壓電式力量感測器、機構設計、田口式最佳化設計方法、穩態力量檢測機制、12 吋晶圓生產之天車搬運機台(OHT)、天車上下料實驗平台、安全監控。

而第二篇論文國立宜蘭大學 電子工程學系碩士班 謝建宇所指導 紀冠名的 應用於生醫的前端接收器與低雜訊放大器 (2021),提出因為有 生物反應器、前端接收電路、喚醒電路、寬頻低雜訊放大器的重點而找出了 壓敏電阻規格的解答。

最後網站SMD Varistor則補充:UV系列是塑料封裝設計的壓敏電阻保護電子設備免受中低壓電壓浪湧的影響。 功能等效與DIP帶引線圓盤7mm和10mm尺寸的壓敏電阻。 由鍍錫銅板製成,熱塑性封裝是不易燃的, ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了壓敏電阻規格,大家也想知道這些:

大學電子學實習(一) - 電子電路分析篇 - 附MOSME行動學習一點通:加值

為了解決壓敏電阻規格的問題,作者蕭敏學 這樣論述:

  1.完全依電子學教學課綱進度編寫。   2.編寫結構分為:基本知識與實驗項目兩部分。   3.基本知識:論述電子電路基本理論、簡易設計方法與補充教材。   兼具正課複習與重點提示功能。   4.實驗項目:包含麵包板實際作業與電腦模擬兩部分之操作導引。   5.針對電子電路各項重點特性之驗證,本書工作範例豐富。   6.部分章節可供進階學習、參考與使用。  

薄型壓電式力量感測器設計開發與應用於半導體搬運天車之升降力量監控

為了解決壓敏電阻規格的問題,作者陳炯翔 這樣論述:

近幾年智慧型自動化生產技術(亦稱工業4.0)逐漸受世界各國重視,透過機器人與機械手臂的導入以及物聯網的連結等…使其達成具有更快速、靈活彈性的生產流程。然而安全性與可靠性一直是廠商是否願意發展自動化技術的關鍵原因。為能實現自動化設備的安全性即時監控,需要裝設力量感測器,然而目前市售力量感測器體積大、無法客製化等缺點,往往不易應用於自動化設備。 本研究之目的為設計開發出一套薄型壓電式力量感測器,該感測器利用壓電材料響應快、高機電轉換效率、體積小、結構簡單之優勢,需進行壓電感測器的機構設計,透過ANSYS有限元素軟體可分析壓電感測器當受到外力負載時機構的應變軌跡,同時提出田口式最佳化

設計方法,建立最佳化的尺寸設計,方能找到壓電感測器的最大應變量。此外進行性能規格量測並建立穩態力量檢測機制,透過高頻驅動器輸入一個遠離共振頻率的電壓訊號,透過串聯一個電阻,可量測電阻跨電壓來獲得電流變化的資訊,同時跨電壓將經過一個橋式整流器將高頻電壓訊號轉換成直流訊號,因此就可透過低頻資料擷取卡監控壓電結構穩態的電壓變化,經過資料擷取卡轉換的關係式就能獲得力量監控資訊。 為能驗證本論文所開發的薄型壓電式力量感測器,本論文亦考量在半導體產業,臺灣以12吋晶圓生產之天車搬運機台(Over Head Transport,OHT)為重要的自動化設備,能在不同的生產機台間進行搬運,有時生產機台因設

備老舊或晶圓盒放置定位不準,導致晶圓盒門板關閉不良,使得天車進行搬運過程中,造成晶圓片掉落問題。為了避免上述問題發生,因此將開發的薄型壓電式力量感測器,將應用安裝於天車上下料實驗平台監控上下料過程中的力量變化,可以達到安全監控的應用,來驗證薄型壓電式力量感測器的特色及特性。

感測器原理與應用實習 - 最新版(第四版) - 附MOSME行動學習一點通:影音

為了解決壓敏電阻規格的問題,作者盧明智,陳政傳 這樣論述:

  1.基本元件強迫複習:為本課程建立好的基礎,重拾學生對所學更有信心,讓應用實習得以順暢進行。   2.實驗模板製作應用:從一定能成功的小作品下手,它是進入商品化產品製作的入門,用以支援所有的感測實習。

應用於生醫的前端接收器與低雜訊放大器

為了解決壓敏電阻規格的問題,作者紀冠名 這樣論述:

本論文採用TSMC 0.18μm 製程,並應用於智慧生物反應器之無線傳輸和感測讀取系統整合晶片當中,其中包括無線前端接收器、低雜訊放大器。主要以低電壓操作為核心進行設計並達成低功率消耗的目標。並依據所需規格進行設計,再以模擬軟體模擬元件電器特性,並探討各個電路架構與參數分析。第一部分設計無線前端接收器,並設計於0.4 GHz,操作電壓為0.6V,轉換增益為19.8 dB,雜訊指數為15.039 dB,功耗為2.03 mW。Mos方面採用順向基體偏壓設計來控制不同Mos的body電壓,以達成降低操作電壓之目標。並利用電容的方式取代電感,以達成降低面積之作用。再配合喚醒電路用於控制每路電晶體的開

關,使電路只在接收到訊號時進行開啟,並達成省電之效果。第二部分設計寬頻低雜訊放大器,並設計於2~6 GHz,操作電壓為0.8V,模擬結果為增益最大值為 14.12 dB,雜訊指數範圍為4.42~4.795 dB,P_1dB增益壓縮點為 -28.63 dBm,輸入三階截斷點為 -21.55 dBm。並設計可切換開關使低雜訊放大器可應用於範圍為2GHz ~ 6GHz的頻率下。