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崑山科技大學 電機工程研究所 張慎周所指導 蔡嘉榮的 微波氫電漿於不同功率下其氧化銦特定膜應用於低輻射玻璃的影響 (2021),提出台 吉 化工 鍍膜關鍵因素是什麼,來自於低輻射玻璃、氧化銦特定膜、功率、微波氫電漿。

而第二篇論文國立臺北科技大學 能源與冷凍空調工程系 顏維謀所指導 陳怡妏的 類鑽碳薄膜於顯示卡散熱背板開發與分析 (2021),提出因為有 類鑽碳、熱阻、薄膜、顯示卡的重點而找出了 台 吉 化工 鍍膜的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了台 吉 化工 鍍膜,大家也想知道這些:

薄膜科技與應用(第五版)

為了解決台 吉 化工 鍍膜的問題,作者羅吉宗 這樣論述:

  薄膜技術的進展和表面界面物理導入,使電子元件實現了輕薄短小,且有效控制半導體材料和固態元件之品質。坊間有多種薄膜技術叢書,但多僅闡述製作技術。本書將引導對薄膜有興趣者認識真空、電漿、長膜機制,製作高品質薄膜的要件,薄膜品質之鑑定和薄膜製作技術如何改善電子元件功能等。本書前四章介紹薄膜沉積所用到的真空、電漿、熱力、動力等薄膜生長機制;第五、六章介紹高品質薄膜對元件電性之影響;第七、八章說明量測薄膜特性之技術與原理。是一本適合大學、科大機械、電機、化工、材料系三、四年級「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用,也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。 本書特色   1.薄

膜是實踐電子元件輕薄短小、低損耗能量之關鍵技術,使固態電子產品之進步發展得以靈活設計及精確控制其品質。   2.薄膜技術涉及多門學科領域,本書將薄膜的應用與製作薄膜所用到的真空技術、熱力、電漿科技皆有所涵蓋。   3.本書內容共為八章,前四章介紹薄膜製作技術所用到的各種裝備與物理機制,第五、六章說明如何製作高品質薄膜和薄膜品質對元件電性的影響,第七、八兩章說明量測薄膜特性的各種技術與原理。   4.適合大學、科大機械、電機、化工、材料系「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用,也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。 

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微波氫電漿於不同功率下其氧化銦特定膜應用於低輻射玻璃的影響

為了解決台 吉 化工 鍍膜的問題,作者蔡嘉榮 這樣論述:

近年因溫室效應造成氣候變遷,且能源逐年短缺之狀況下,如何節能減碳為各國之首要目標,而低輻射玻璃則為此需求下所發展之產物,故如何達到低輻射玻璃所要求之目的,係為各科學家所追尋探討之方向。本次實驗為透過不同功率之微波氫電漿,觀察其對氧化銦特定膜於低輻射玻璃之影響,使用氧化銦特定膜特的原因是因為它材料便宜,可在常溫下製程,並具有較好的導電性、載子移動率、透光性佳等特性,對整體實驗及人員均較為安全,另通入氫電漿則是因為氫氣可有效降低吸附於薄膜晶界表面的氧,使氧空缺增加且提高載子之濃度,可提升試片導電性,而微波電漿最大好處是可使材料發生質變,可獲得良好且快速的化學反應,並有較高之解離度及單位體

積內的離子質量,所需的反應溫度亦較低。 本次實驗使用原始未鍍膜之玻璃試片,濺鍍氧化銦特定膜後,執行微波氫電漿退火處理,退火之功率參數各別設定為400W、600W、800W,最後將實驗處理過之試片實施量測及與未處理之試片比較,研討改變氫微波電漿之功率對氧化銦特定膜的導電性及光學性質影響,是否造成其對應用於低輻射玻璃的影響。  經實驗結果比對得知,經不同功率下微波氫電漿處理鍍製的氧化銦特定膜玻璃試片,在光學分析方面,可見光之穿透率由60%下降至約28%,而在電性分析方面,電阻值均大幅增加,載子移動率則下降約97%,載子濃度僅600W時提升約53%,400W及800 W則平均下降約22%,研判

可能為氧化銦部分遭到還原成金屬銦,或因膜厚變厚致使出現較多的干涉現象,使薄膜與基板表面不平整,而造成光穿透率下降,並因微波氫電漿後造成過度的氧空缺,使薄膜結構的缺陷增加,造成載子遷移率下降而使得電性變差。 本次實驗未能達到低輻射玻璃所需之標準,但此研究可做為低輻射玻璃產業對其金屬鍍膜材料選用,及其後處理與特性改善之參考依據。

類鑽碳薄膜於顯示卡散熱背板開發與分析

為了解決台 吉 化工 鍍膜的問題,作者陳怡妏 這樣論述:

顯示卡為近幾年在消費型電子產品中是相當受到矚目的產品之一,消費者不斷的追求高效能高解析度,然而高功率所產生的極致散熱也不斷的帶來挑戰。本研究係以類鑽碳薄膜鍍製於AL1050鋁合金背板作為顯示卡散熱背板,探討一般未鍍膜鋁合金背板與不同膜厚參數間的類鑽碳薄膜背板,分別為DLC_0.6μm、DLC_2.38μm、DLC_3.92μm、DLC_4.3μm、進行熱傳導試驗、微結構與機械性質分析。先利用紅外線熱影像儀拍攝找出最高熱源區,再以溫度記錄儀與熱感溫線量測進行熱傳導試驗,並在不同環境溫度下,分別為20℃、25℃、30℃及35℃實驗各個不同消費者所處的環境溫度變化,進行散熱背板水平方向與垂直方向的

熱分析。結果顯示類鑽碳薄膜在散熱背板上,水平向擁有高傳導特性及熱擴散性,在DLC_3.92μm膜厚以上熱阻值與未鍍膜鋁合金背板相比下降了33%~40%,來到DLC_4.3μm時熱阻下降較為穩定,達到了61%~74%。在軟體加載時記憶體封裝內的感測器紀錄顯示,DLC_4.3μm比未鍍膜背板溫度下降約3℃。