二極體半導體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包

研究所分章題庫【電子學經典範例與歷屆試題解析】

為了解決二極體半導體的問題，作者劉承,劉威 這樣論述：

　　本書適用研究所考試與公職考試，作者有14年教學與12年實作經驗，從基本電路分析到記憶體電路共分16章，深入淺出分章解析電子學實做應用與過程重點，同時提供大量經典範例與104~108年歷屆試題解析供考生演練。

二極體半導體進入發燒排行的影片

窄半高寬ZnInP/ZnS量子點的製備及其白光發光二極體應用之研究

為了解決二極體半導體的問題，作者首先 這樣論述：

Abstract...i摘要...iiiAcknowledgments...vList of Contents...viList of Tables...viiiList of Figures...ixChapter I Introduction...11.1 The evolution of the display...11.2 Liquid crystal display...4Chapter II Literature Review...72.1 Quantum dots...72.2 Quantum dots for display application...102.3 III

-V Quantum dots...122.4 Mechanism of InP/ZnS quantum dots...13Chapter III Experimental...173.1 Chemicals...173.2 InP/ZnS core/shell QDs synthesis...213.2.1 InP core synthesis...213.2.3 ZnInP/ZnS core/shell QDs synthesis...253.3 Device fabrication...273.4 Characterization of QDs...273.4.1 Ultraviole

t-visible absorption spectroscopy (UV-vis)...273.4.2 Fluorescence spectroscopy (FL)...273.4.3 Transmission electron microscopy (TEM)...273.4.4 Quantum yield (QY) measurement...283.5 Characterization of performance devices...28Chapter IV Results and Discussion...314.1 InP core QDs...314.2 ZnInP core

QDs...384.3 ZnInP/ZnS QDs...484.4 WLED devices...59Chapter V Conclusion...65References...66Extend Abstract...73

半導體元件物理學(第三版)下冊

為了解決二極體半導體的問題，作者施敏、伍國(王玉) 這樣論述：

　　這本經典的書籍在半導體元件領域中，樹立了先進的研究以及參考的標準，現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織，以反應元件概念以及品質上的巨大 進展。第三版維持最詳細且徹底的資料在最重要的半導體元件上，使讀者立即獲得重要的元件物理知識以及詳細的元件特性，包含主要的雙載子、場效、微波、光子 以及偵測元件。非常適合作為電機、電子、物理、材料等科系大學高年級生及研究生修習半導體相關課程使用。也適合作為半導體產業工程師與科學家的參考資料， 可說是半導體相關領域人員必讀的聖經。 　　本書為施敏教授與Kwok K.Ng 博士所撰寫的「半導體元件物理」(Physics of Semiconductor

Devices, Wiley)第三版之中譯本，第一版於1969年問世後就陸續被翻譯成6種語言，施敏教授撰寫第一版時，在短短的一年半當中，讀完兩千篇研究論文，並從中 挑出六百篇做重點整理，幾乎看完當時所有的相關論文。第二版於1981年再度問世，在全世界銷售量已超過百萬冊以上，廣為大學、工業以及研究機構所採用， 目前在學術界已被引用超過一萬五千次，為當代工程及應用科學領域中被引用最多的文獻。最近發行第三版，與第二版相隔26年，除了保存前二版的精華外，並增 加許多符合時代潮流的內容，根據施敏老師的說法：「這26年間的半導體發展並沒有新的元件被商品化的產出，但是所有元件卻是高速地朝輕、薄、短、小，且速

度倍增的發展。這次的新書內容超過了百分之五十的更新與重新編排，雖然基本的寫法不變，但其實是更淺顯易懂。基本上，只要讀完這本書的人都可以看得懂專業 的論文期刊」。 新版的內容包含：將最新的發展徹底更新。新的元件例如三維MOSFETs、MODETs、共振穿隧二極體、半導體偵測器、量子Cascade雷射、單電子電晶體、real-space transfer以及更多的元件。將材料完全重新組織。在每一章的後面設立問題集。所有的圖以最高的品質重新繪製。 　　為了使工程師、科學家、大學教師以及學生了解今日所使用最重要的元件，以及評估未來元件的品質與限制，本書提供了實踐的基礎。 作者簡介 施敏 教授 　　施

敏教授獲台灣大學學士學位，美國華盛頓大學碩士學位以及美國史丹佛大學電機博士學位。1963至1989年在貝爾實驗室服務，1990 年任教於國立交通大學電子系。現任國立交通大學榮譽講座教授以及美國史丹福大學電機系顧問教授。他對半導體元件有基礎性以及前瞻性的貢獻;特別是發明了非 揮發性記憶體（包括EEPROM以及快閃記憶體）。曾發表科技論文超過200篇，以及撰寫與主編專業書籍12冊。其中所著的【半導體元件物理】 （Wiley）?近代工程和應用科學中被引用次數最多的文獻（依ISI資料超過一萬六千次）。施敏教授獲選為IEEE Fellow，中央研究院院士及美國國家工程院院士等。 伍國（王玉）博士 　　1

975年於美國羅格斯大學以及1979年於哥倫比亞大學分別獲得電機 學士與博士學位。1980年服務於AT&T的貝爾實驗室（1996年成為?訊科技的一部份），2001年服務於美商Agere公司（位於賓夕法尼 亞州的艾倫鎮），自2007年起在Semiconductor Research Corporation服務。伍博士擔任IEEE Electron Device Letters 的編輯以及IEEE Press聯絡人，為【半導體元件完全指南】第二版（Wiley）的作者。

高發光效率及高穩定性的包覆二氧化矽CuInS2/ZnS 量子點的製備及其白光發光二極體應用之研究

為了解決二極體半導體的問題，作者李李琳 這樣論述：

English Abstract ……………………………………………………….………………………………………………… iChinese Abstract ……………………………………………………….………………………………………………… iiiAcknowledgment ……………………………………………………….……….………………………........................... vTable of Contents ……………………………………………………….….…………………………….......................... viList of

Tables ……………………………………………………….…….………………………….......................... viiList of Figures ……………………………………………………….…….………………………….......................... viiiList of Abbreviations ……………………………………………………………………….............................................……. xChapter 1 Introduction ………………………………………………

............................................……… 11.1 LEDs…………………………………………................................................……………………. 11.2 WLEDs………………………………………................................................…………………… 2Chapter 2 Background and Related Works……………………...…………………................... 62.

1 Semiconductor quantum dots…………………………………………………………. 62.2 QD-WLED……………………………………………………………………………………… 82.3 CuInS2/ZnS QDs…………………………………………………………………………….. 152.4 CuInS2/ZnS@SiO2 QDs……………………………………………………..................... 212.5 Research motivation………………………………………………………………………. 26Chapter 3 Experim

ental…………………………………………………………………………………... 303.1 Material…………………………………………………………………………………………... 303.2 Methodology.………………………………………………………………………………….. 333.2.1 Synthesis of CIS/ZnS QD………………………………………………………………. 333.2.2 Preparation of the silica-coated QDs……………………………………………… 343.2.3 Fabrication of QDs

-based whites LEDs…………………………………………. 343.2.4 Characterization……………………………………………………………………………… 34Chapter 4 Results and Discussion…………………………………………………………………... 434.1 CIS/ZnSxQDs……….…………………………………............................................................. 434.1.1 The effect of Zn2+ concentration o

n CIS/ZnSxQDs………………………... 434.1.2 The morphologies and crystal structure…..……………………………………... 504.2 CIS/ZnSx@SiO2,y QDs……………………………………………………………………. 524.2.1 The optical properties of CIS/ZnSx@SiO2,y QDs…………........................... 524.2.2 The morphologies and crystal structure…..……………………....

....................... 574.3 CIS/ZnSx@SiO2,y QDs LED…………………………………………………............... 62Chapter 5 Conclusions………………..………………………………….…………………...................... 72References …………………………………………………….……………………………………...................... 73Extended abstract …………………………………………………………………………………………....

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