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國立陽明交通大學 電子研究所 汪大暉所指導 江宏禮的 嵌入式磁性隨機存取記憶體設計空間分析及其於極低溫金氧半電路之最佳化設計 （2021），提出Torque Reduction Isu關鍵因素是什麼，來自於磁性隨機存取記憶體、磁性穿隧接面、嵌入式記憶體、極低溫操作、先進金氧半技術、功率-效能-面積分析。
而第二篇論文國立臺北科技大學 電機工程系 黃明熙、楊勝明所指導 蘇裕文的 考慮電感飽和之同步磁阻馬達控制系統研製 （2021），提出因為有 同步磁阻馬達、直接轉矩控制、向量控制、電感量測的重點而找出了 Torque Reduction Isu的解答。
嵌入式磁性隨機存取記憶體設計空間分析及其於極低溫金氧半電路之最佳化設計
為了解決Torque Reduction Isu 的問題，作者江宏禮 這樣論述：
Chinese Abstract iEnglish Abstract iiAcknowledgement iiiContents ivTable Captions vFigure Captions viList of Symbols viiChapter 1 Introduction 11.1 Background 11.2 Description of the Problem 21.3 Organization of this Dissertation
3Chapter 2 Design Space Analysis for Cross-Point 1S1MTJ MRAM: Selector-MTJ Co-Optimization 92.1 Preface 92.2 STT MRAM Used in 1T1MTJ Architecture 102.2.1 Characteristic of MTJ in STT MRAM 102.2.2 Criterion for Read and Write 102.3 Difficulties of 1S1MTJ by Using ST
T MRAM in Current 1T1MTJ MRAM Array 122.3.1 1S1MTJ with Exponential-Type Selector 122.3.2 1S1MTJ with Threshold-Type Selector 142.4 MTJ Optimization for Existing Selectors 152.4.1 Optimization for Exponential-Type Selector 152.4.2 Optimization for Threshold-Type Selector
172.4.3 Endurance Limitation in 1S1MTJ Array 172.5 Design Space Analysis for 1S1MTJ Array 182.5.1 Methodology for Array Level Analysis 182.5.2 Exponential-Type Selector 192.5.3 Threshold-Type Selector 202.6 Summary 21Chapter 3Cryogenic CMOS as a Power-Performance
-Reliability Booster for Advanced FinFETs 423.1 Preface 423.2 FinFET Characterization at Cryogenic Conditions 433.2.1 Long-Channel Mobility Enhancement 433.2.2 Short-Channel Device Characteristics 433.2.3 Reduction of Line Resistance BEOL 453.2.4 Reliability Improveme
nt 453.3 System-Level Analysis 463.3.1 Ring Oscillator Measurement 463.3.2 Power-Performance Analysis 473.3.3 Benefits and Optimization in SRAM 483.4 VTH Design and Adjustment for Cryogenic CMOS 483.4.1 Threshold Voltage Design 483.4.2 Threshold Voltage Adjustme
nt 493.5 Summary 49Chapter 4Cryogenic MRAM as a Density Booster for Embedded NVM in Advanced Technology 714.1 Preface 714.2 MRAM Characterization at Cryogenic Conditions 724.2.1 Steady-State DC Characteristics 724.2.2 Transient AC Characteristics 724.2.3 Thermal S
tability and MTJ Optimization 734.3 Write Analysis and Cell Design for Cryogenic MRAM 744.3.1 Design for Write Voltage/ Current/ Time 744.3.2 Access Transistor Characteristics 754.3.3 Cell Design for Cryogenic MRAM 754.4 Read Margin Analysis 764.3.1 Read Current Distr
ibution and Tailing Bits 764.3.2 Read Margin Enhancement 764.5 Summary 77Chapter 5 Conclusions 94References 96Vita 115Publication List 116
考慮電感飽和之同步磁阻馬達控制系統研製
為了解決Torque Reduction Isu 的問題，作者蘇裕文 這樣論述：
近年來因為稀土元素的成本價格高漲，不須使用磁鐵且具有結構簡單、強健、效率高等優點的同步磁阻馬達逐漸受到重視。由於同步磁阻馬達未使用磁鐵，所以無退磁之風險，易於利用弱磁控制達到更高的速度，但由於運轉時電感的飽和程度相當高，使控制系統設計的複雜性提高，儘管利用有限元素法可精確分析電感參數，但需額外軟體分析並耗費大量時間。本論文針對同步磁阻馬達提出了一種利用電流控制器中的解耦合電壓來進行電感量測的方法，根據電感量測的結果建表，並將飽和電感分別應用於向量控制與及直接轉矩控制，設計的控制器並包含低速時使用每安培最大轉矩控制及高速弱磁控制等兩個階段。最後，本文亦設計實驗系統，以實驗驗證提出的方法在這兩種
控制系統上的可行性。