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國立交通大學 材料科學與工程學系所 曾俊元、韋光華所指導 費玉滿的 藉由電極調整及摻雜提升氧化鋅透明性電阻式記憶體電阻轉態特性 （2016），提出Resistance temperatu關鍵因素是什麼，來自於電阻器件、回憶切換、非易失性存儲器、ZnO薄膜、透明電子。
藉由電極調整及摻雜提升氧化鋅透明性電阻式記憶體電阻轉態特性
為了解決Resistance temperatu 的問題，作者費玉滿 這樣論述：
對於未來在非揮發性記憶體範疇中，電阻式記憶體被認為是最為可靠的選項。除此之外，穿戴式應用產品對於透明性電子元件的需求也是必須的。在此論文中，我們詳述了非揮發性記憶體中，以氧化鋅為主體的透明性電阻式記憶體的發展。然而在記憶體轉態可靠度上(記憶體高低阻態倍率、均勻度和轉態次數)，是對於氧化鋅為主體的透明性電阻式記憶體最主要的挑戰。在此篇論文中，使用曾經被發展和提出的新穎方法來解決前述的問題。首先是藉由對於上電極缺陷的調整，以提升高低阻態倍率。存在於上電極中的氧空缺需要被考慮，以達到所需的高低阻態倍率，在上電極中極度多數的空缺，可能會抽取來自轉態層的氧原子，因此導致高低阻態倍率的下降，可藉由文中的
方法增強高低阻態倍率7倍。第二，利用操控首次形成燈絲的過程來加以限制燈絲。不同種的氧化鋅薄膜也被製作為轉態層，以驗證文中的方法。而文中所推崇的首次形成燈絲的方法，較傳統方法更為優異，可以達到高度穩定的轉態，且高低阻態的倍率可以達到100倍的數值。第三，藉由調整空缺和微結構，可以增強轉態可靠度上的性能。在轉態特性上，空缺的種類和結構方向扮演相當重要的腳色，而利用在轉態層中不同濃度的鈷參雜以達成前述的調整，透過使用文中的各個參數可以達到高穩定的轉態性能。另外，透過嚴格的電性及材料分析以說明文中所提出方法的現象。