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Passive infrared sen的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列各種有用的問答集和懶人包
國立臺北科技大學 光電工程系 李穎玟所指導 莊子平的 2050 nm Q開關高濃度摻鈥矽酸鹽光纖雷射之研究 （2021），提出Passive infrared sen關鍵因素是什麼，來自於摻鈥矽酸鹽光纖、被動式Q開關雷射、半導體飽和吸收鏡。
而第二篇論文國立中山大學 光電工程學系研究所 洪勇智所指導 黃淑敏的 微型化矽光子陀螺晶片設計與封裝技術開發 （2021），提出因為有 矽光子、干涉式光纖陀螺儀、邊緣光耦合器、光纖陣列、光積體化技術的重點而找出了 Passive infrared sen的解答。
2050 nm Q開關高濃度摻鈥矽酸鹽光纖雷射之研究
為了解決Passive infrared sen 的問題，作者莊子平 這樣論述：
本論文主要描述使用公分長等級的高濃度摻鈥矽酸鹽光纖來產生連續式與Q開關雷射之研究。針對連續式光纖雷射於數值模擬上，我們使用商用模擬軟體LiekkiTM，來進行設計共振腔之優化，以得到連續式雷射的最佳輸出功率與斜向效率，最佳結果為輸出耦合鏡反射率10 %時，所得最高輸出功率為146.7 mW且斜向效率達到37.78 %。在實驗上，我們使用布拉格光纖光柵(FBG)加上全反射金鏡所組成的線型腔體，產生連續式光纖雷射，此結果可證明數值模擬之相關預測並符合光纖雷射物理之特性。接著，在被動式Q開關光纖雷射實驗上，我們使用布拉格光纖光柵加上半導體飽和吸收鏡(SESAM)所組成的線型腔體，且藉由改變不同SE
SAM之參數，來探討其參數對於Q開關雷射系統之輸出特性的影響。其中最佳的Q開關雷射系統之最高平均輸出功率可達36.2 mW，最大脈衝能量為0.78 μJ，且脈衝寬度最窄為0.95 μs，重複頻率可達49.05 kHz。SESAM參數選擇上，我們成功分析出，若想要得到較低閥值的Q開關雷射、較高的輸出斜向效率，需選擇反射率較高、本質損耗較小、飽和通量較小、調製深度較小的SESAM；若想得到較短的脈衝，在參數上則需選擇較大調變深度的SESAM。
微型化矽光子陀螺晶片設計與封裝技術開發
為了解決Passive infrared sen 的問題，作者黃淑敏 這樣論述：
本論文致力於研究干涉式矽光子陀螺儀驅動晶片的設計與封裝，傳統干涉式光纖陀螺儀系統體積龐大且由多個獨立的元件組成，我們將各個外部元件整合在矽光子晶片上減少了光纖陀螺儀系統的大小。在矽光子晶片設計上加入以下設計：(1)模態濾波器設計避免矽光子陀螺儀晶片的波導中存在高階模態，(2)光延遲相位波導路徑減少水平邊緣耦合器耦光時的反射形成建設性干涉，(3)串接多級極化濾波器達到高極化消光比，(4)將相位調變器設計成彎曲波浪狀，使得總元件長度縮減為1.3 mm。 在量測中，我們使用透鏡單模光纖、高數值孔徑光纖(ultra-high numerical aperture, UHNA)以及具模態轉換光纖
(fiber with spot size converter)三種不同規格的陣列光纎作為晶片測試媒介，並利用UV膠將光纖與晶片水平側邊緣耦合器封裝整合成一體，此為本實驗室首次嘗試，封裝後兩個端口的開放迴路光路損耗值分別為12.6與12 dB，與封裝前相比僅多了1~2 dB。我們使用半導體寬頻譜光源(superluminescent diode, SLD)作為光源，成功驅動光纖陀螺儀系統並且測得比例因子為0.61308 μV‧s/deg，主要受限於較高的整體系統光路損失。 此次實驗驗證了使用矽光子邊緣耦合器進行光纖耦光封裝的挑戰，相較於實驗室過去使用光柵耦合器進行光纖陣列封裝來的困難許多，寬
頻譜操作的邊緣耦合器對於寬頻譜光源並沒有比較好的耦合效率，反而造成光纖與晶片接觸面積小影響封裝穩定性等負面影響，未來將回到光柵耦合器的方案繼續往下優化。